AI热潮催生存储芯片ETF，单日资金涌入破10亿大关

当前市场上扩张速度最迅猛的ETF产品，正作为人工智能领域的全新热门标的持续攀升，整体关注度急剧升温。

由朗希尔资本管理的DRAM存储芯片ETF专注于当下炙手可热的半导体存储领域，自4月初挂牌交易以来总募资额已突破50亿美元，仅在周四一天便吸纳了11亿美元资金。

据高盛(934.005, 8.13, 0.88%)统计，这只ETF在发行初期便引爆市场，挂牌前10个交易日募集资金即超越10亿美元；其募资效率在近三年中仅次于比特币ETF首秀、贝莱德(1081.05, 13.31, 1.25%) iShares明星债券基金LQD、道富环球黄金ETF GLD以及摩根大通(301.815, -4.46, -1.45%)加拿大股票基金BBCA的同期表现。

朗希尔投资CEO戴夫·马扎接受电话采访时指出：

“存储芯片已被视作AI产业扩张的关键制约因素，相关供应紧张局面预计将持续数年而非短短一个季度。”

DRAM ETF自挂牌以来连续23个交易日实现资金净流入，期间基金净值飙升70%；其第一大持仓美光科技(740.92, 94.29, 14.58%)以及闪迪公司(1527, 187.04, 13.96%)股价更屡刷新高。

期权市场押注看涨情绪高涨

希望捕捉AI产业机遇的期权投资者正纷纷涌入在CBOE挂牌的DRAM ETF。

周四该ETF期权成交逾9万张，其中看涨合约买入量接近看跌合约的两倍，当前其期权活跃度已位列全美ETF前40强。

这只ETF广受青睐的另一关键因素在于其纳入了韩国两大芯片巨头海力士与三星电子。

马扎称：“这两家公司位列全球存储器行业顶端，但普通美国投资者难以直接参与。若投资韩国综合指数ETF，将被动持有大量无关资产；而在常规半导体ETF中，美光等存储企业的配置比例又明显不足。”

责任编辑：郭明煜

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