巨头纷纷离场，MLC NAND价格猛涨300%

5月12日，多家韩媒包括《朝鲜日报》披露，三星电子自3月开始，已陆续关停韩国华城园区12号线的2D NAND制造，并计划把该厂区翻新为生产1c DRAM（第六代10nm级DRAM）的“End Fab”后端产线。

报道指出，该产线月产晶圆8万到10万片，系三星仅存的2D NAND据点。随着其停产，意味着自2002年三星率先量产1Gb NAND闪存起，持续了24载的2D NAND时期画上句号。

三星终止2D NAND并非个案。此举措与MLC NAND停产息息相关。MLC（多级存储单元）单单元存2比特，虽容量不如TLC和QLC，但数据留存及耐用性显著更强，长期是医疗、工控等高可靠性领域的首选。但因获利空间小，三星已告知客户MLC NAND将停产，计划在2026年6月最终出货后彻底断供。

随后，日企铠侠于3月也正式通告客户将逐步撤出2D NAND领域。通知显示，客户最后下单期限为2026年9月30日，出货持续至2028年12月31日，2029年完全退出。本次停产涉及面甚广，包含32nm、24nm、15nm工艺的SLC、MLC、TLC全线产品，以及裸晶圆、BGA、TSOP封装和eMMC、UFS、SD卡等所有形态，实为旧技术平台的整体谢幕。

美光亦在缩减规模，当前仅依现有客户需求维持MLC NAND产出。此外，美光已正式结束消费级品牌“Crucial”业务，把旧工艺晶圆产能全部转至AI数据中心所需的先进存储芯片。

价格飙升300%，恐慌性抢购蔓延

大厂退场节奏远快于市场技术更替。调研机构TrendForce预估，2026年全球MLC NAND产能将同比暴跌41.7%。更棘手的是，三星与美光在淘汰旧设备之际，拒绝对外授权核心MLC制造工艺，新入局者几乎无法进场填补空缺。

供需失衡已直接引爆行情。部分SLC与MLC单品月涨幅达两位数，MLC 64Gb现货价由2025年底的约6美元暴涨至20至28美元区间，涨幅超300%，“恐慌性囤货”已达顶点。

Digitimes于3月报道称，尽管国际大厂退出低容量2D NAND旧工艺产线，SLC/MLC NAND价格却暴涨。其中，MLC NAND首季价格翻倍，次季预计再涨2倍，只要有产能释放，旋即被客户抢光，市场缺口难以填补，若累计自2025年至今，价格已涨近10倍。

华邦电子成最大受益者

2D NAND市场留下的巨大空白，正向仍坚守该领域的中国台湾厂商转移。台媒《经济日报》称，华邦电子长期深耕浮栅架构SLC NAND利基型市场，产品涵盖1Gb至8Gb，专精车用、工控等需高耐久及高温稳定性的场景，被业内视为承接铠侠退单最多的赢家。旺宏电子同样拥有19nm 2D NAND工艺，产品覆盖2Gb至32Gb，也将同步获利。

另外，中国大陆的兆易创新、东芯股份、普冉股份等也将从中获益。其中，兆易创新同步布局SLC/MLC NAND，东芯股份聚焦中小容量SLC/MLC NAND，普冉股份则主攻中小容量SPI SLC NAND。

有半导体业内人士评论道：“资源向高附加值AI存储器的汇聚，正在瓦解支撑实体经济的传统存储板块。家电与汽车厂商的成本压力及供应链风险，至少将延续至明年。”

编辑：芯智讯-浪客剑