长鑫科技半年狂揽 500 亿：奇迹背后的盈利密码

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近日，半导体界被一则重磅消息所震动。

这家名为“长鑫科技”的企业，今年首季归母净利润便飙升至 247.6 亿元；招股文件更显示，预计上半年营收将达 1100 亿至 1200 亿元，归母净利润介于 500 亿至 570 亿元之间。尤为惊人的是，仅仅三年前，该公司还背负着超百亿元的巨额亏损，毛利率甚至一度跌至负 113%。

据公开信息，2025 年 12 月 30 日，长鑫科技正式向中国证监会提交了 A 股上市申请，目标是在上交所科创板挂牌，计划募资约 295 亿元。5 月 17 日傍晚，长鑫科技更新了其招股说明书。

这不仅是中国半导体行业迄今为止规模最大的 IPO 申请之一，也是该行业多年激烈角逐的一个阶段性里程碑。

究竟是何种力量让这家公司的业绩在短短两年内实现惊天逆转？在全球 DRAM 产业格局中，它又面临哪些结构性挑战？本文旨在提供一份详尽的解答。

图据视觉中国 (22.080, 0.16, 0.73%)

专攻存储芯片中最难攻克的堡垒

要读懂长鑫科技，首先得懂它所处的赛道。

DRAM，即动态随机存取存储器，是计算机架构中不可或缺的关键组件。

通俗来讲，它是系统的“操作台”，而非“仓库”——闪存（NAND Flash）用于长期存储数据，而 DRAM 则负责在程序运行时临时承载和处理数据。

无论是打开一个 App、刷新微信消息，还是向大模型发起提问，背后的每一次操作都在调用 DRAM。

从应用场景来看，DRAM 主要覆盖三大领域：以服务器为核心的数据中心市场、以智能手机为主的移动端市场，以及 PC 和消费电子领域。

截图自招股书

近年来，随着 AI 大模型训练与推理对算力的巨大消耗，数据中心对 DRAM 的需求急剧膨胀。训练一个大型语言模型需要数百张高性能 GPU，而每张 GPU 卡上都堆叠了大量高带宽 DRAM。

这正是长鑫科技能在 2025 至 2026 年间爆发的重要外部背景之一。

回归商业模式，长鑫科技采用的是业内称为 IDM（垂直整合制造）的模式，即从芯片设计、晶圆制造到封装测试，全部自主完成。

与之相对的是 Fabless（无厂设计）模式，只负责设计，将生产外包给台积电、三星等代工厂。

相比之下，IDM 模式的优势在于设计与制造的高度协同，工程师可针对自家工艺定制性能参数，在良率提升和成本摊薄上拥有更大主动权；但其劣势同样明显：前期资本投入巨大，一条先进制程晶圆产线的建设费用动辄超百亿元，且从建设到量产需耗时数年，期间持续的折旧与成本压力会让财务报表显得十分难看。

2023 年的巨额亏损，并非经营失败，而是这一模式固有的代价。

注：主营毛利率为转销前数据，剔除存货跌价准备转销影响，更能反映真实产销关系。财报大师姐制图

这张表格也勾勒出一条清晰的轨迹。

2023 年，公司营收不足百亿，毛利率深陷负值，净亏损达 163 亿元，研发投入占营收比例高达 51.4%，这表明当时公司几乎以全部收入为代价来维持技术研发的运转。

2024 年局势有所好转，营收增至 241.8 亿元，亏损收窄至 71.4 亿元，毛利率已从负 113% 回升至负 4.7% 的临界区间。

转折点出现在 2025 年，营收跃升至 618 亿元，归母净利润扭亏为盈达 18.7 亿元，主营毛利率突破 37.8%。

到了 2026 年一季度，单季营收即达 508 亿元，净利润高达 247.6 亿元，净利润率接近 49%，这一水平在全球制造业中都属于异常优异的成绩单。

用时三年，从负 113% 的毛利率走到近 50% 的净利润率，长鑫科技完成了中国半导体史上最戏剧性的财务反转之一。

这笔钱，究竟是如何赚来的？

拆解长鑫科技 2025 至 2026 年的业绩爆发，实则是三个独立却又相互强化的齿轮同时转动的结果：产能规模放量、AI 需求爆发以及内存价格回升。

先谈产能。

DRAM 制造是典型的规模经济行业，产线建成后，固定成本（折旧）是刚性的，但每多生产一片晶圆的边际成本相对较低。因此，产能利用率越高，单位产品分摊的成本越低，毛利率随之攀升。

长鑫科技近年来持续扩产，2024 年产能达到相当规模后，2025 年的爬产成效在财务上得到了充分体现。

再看需求侧。

前文提及，2024 年下半年至 2025 年，全球 AI 大模型竞赛白热化。英伟达 H 系列、B 系列 GPU 出货量持续攀升，每一张高端 GPU 卡均需搭载 HBM（高带宽存储）或大量 DDR5 内存。

据行业估算，每套高算力 AI 服务器的 DRAM 用量是传统服务器的 3 至 5 倍。

这一结构性变化，使得全球 DRAM 的需求曲线以远超预期的斜率向上倾斜，直接推高了整体均价。

第三个齿轮是价格。

DRAM 价格具有强周期性，在经历了 2023 年的深度低谷后，2024 年下半年开始明显回暖，2025 年延续上行趋势。

价格重心的抬升，加上长鑫科技产品结构向 DDR5、LPDDR5X 等高附加值品类的持续切换，使得单位售价与单位成本之间的剪刀差迅速拉大，最终体现为财报上令人瞩目的毛利率。

从客户构成来看，招股书披露的核心客户名单几乎囊括了中国所有头部科技企业：数据中心领域有阿里云、字节跳动、腾讯，PC 与手机领域则有联想、小米、荣耀、OPPO、vivo、传音等。

这份名单的含金量在于，这些客户对供应商的准入门槛极高，不仅要求产品性能过关，还要求供货稳定性、工程支持能力及价格竞争力同步达标。

能同时服务云计算巨头和手机厂商，意味着长鑫科技的产品线足够完整，技术规格足够成熟。对于一家成立不到十年的 DRAM 企业而言，这份客户背书本身就是一种竞争壁垒。

从行业竞争格局看，全球 DRAM 市场长期由三星电子、SK 海力士、美光科技三家主导，合计份额超过 90%。

这一格局维持了近三十年，期间曾有多家竞争者尝试突围，均以失败告终，包括台湾的瑞晶、德国的奇梦达、日本的尔必达，无一例外。

三巨头的护城河来自三个层面：技术积累（多代工艺节点的经验沉淀）、专利壁垒（数以万计的核心专利形成的诉讼威慑）以及规模效应（越大的出货量带来越低的单位成本）。

这也是为何进入这个行业难，在其中生存更难的原因。

长鑫科技目前全球排名第四，其余竞争者包括台湾的南亚科技、华邦电子、力积电等，但这几家的体量与三巨头相比差距悬殊。

严格意义上，长鑫科技真正需要对标的对手，是三星、SK 海力士和美光。

长鑫科技已经坐上了全球 DRAM 的第四把交椅，但第一把交椅与第四把之间的距离，并不比第四把与第十把小。

赛道背后：资金越多，风险越真实

对于长鑫科技的后续发展，在行业变革之下，也必须注意以下几个关键信息。

首先，折旧是悬在头顶的达摩克利斯之剑。

半导体制造是人类工业史上最资本密集的行业之一。一条先进 DRAM 产线的建设成本，通常在数百亿元量级；而芯片设备的折旧周期通常为 5 至 10 年，这意味着无论产线是满负荷运转还是闲置停产，每年的折旧费用都是刚性支出。

长鑫科技目前固定资产规模庞大，年折旧规模相当可观。

这种结构决定了一件事：一旦产品价格下跌，或者产能利用率因市场波动而下滑，利润下行的速度会远超收入下行的速度。

2023 年的亏损，很大程度上正是这一机制的体现。即便如今盈利能力大幅改善，这把剑依然悬着，只是在产能利用率高、价格强劲的周期里，它暂时收回了剑鞘。

其次，DRAM 是周期之王。

DRAM 市场的周期性是这个行业最显著的特征。由于产品高度同质化，下游需求受宏观经济和消费电子景气度驱动，而供给端的产能扩张具有明显的时滞效应，导致价格经常在供不应求和供过于求之间大幅震荡。

2023 年的行业深度下行堪称教科书级案例：三星全年营业利润同比下降 84%，SK 海力士亏损约 70 亿美元，美光亏损约 58 亿美元。整个行业集体陷入困境，长鑫科技自然也不例外。

问题在于，没有人能精确预测下一次下行周期的时间和深度。

长鑫科技当前的强劲盈利，在相当程度上依托于 AI 驱动的需求繁荣和对应的价格高位。一旦 AI 基础设施投资阶段性放缓，或者供给端在三巨头的持续扩产下重新过剩，盈利数字的回落将是快速而剧烈的。

此外，技术代差是追赶者的永恒困境。

在 DRAM 的技术版图上，存在一个最高端的品类：HBM（高带宽存储），这是专为 AI 加速芯片设计的堆叠式内存，目前是英伟达 A 系、H 系、B 系 GPU 以及 AMD 和英特尔加速芯片的标准配置。

HBM 的技术壁垒远高于普通 DRAM，需要在极为精密的 3D 堆叠封装工艺上实现良率攻关。

目前 HBM 市场几乎被三星和 SK 海力士把持，SK 海力士更是以 HBM3E 供应英伟达的优势地位，享有极高的产品溢价。

美光亦已实现 HBM3E 量产。对长鑫科技而言，HBM 是当前技术图谱中最关键的缺口，其战略价值在于，AI 时代最高附加值的 DRAM 需求，正是 HBM 在承接。

更深层的挑战在于，追赶者的困境，不仅在于弥合已有的差距，更在于如何在对方还在高速奔跑的情况下，持续缩小相对距离。

最后，供应链的外部不确定性。

这是所有中国半导体企业都不得不正视的议题，但招股书里的措辞必然是审慎克制的。DRAM 制造高度依赖精密光刻设备、特种气体、高纯度化学品等核心耗材，全球供应链高度集中，部分关键环节的替代选项极为有限。近年来地缘政治的演变，使得这一供应链的稳定性面临持续压力。

此次募资中，130 亿用于 DRAM 技术升级，90 亿用于前瞻技术研发，合计 220 亿——这笔投入指向的，不仅是现有产品的工艺迭代，更是向更高技术台阶发起冲击的弹药储备。

长鑫科技需要同时做两件在时间上互相竞争的事：赚现在的钱，同时为下一个技术台阶烧未来的钱。

这是所有追赶者在接近前沿时都必须面对的两难。

结语

2016 年，一家中国公司决定从零开始做 DRAM。这个决定在当时被很多人视为天方夜谭，不是因为缺乏勇气，而是因为全球市场上几乎没有成功先例，技术壁垒高到令人望而生畏，且三巨头从未给过任何追赶者足够的生存空间。

不到十年之后，长鑫科技坐到了全球第四的位置，单季净利润已经超过 2025 年全年净利润的十倍。无论从哪个角度看，这都是一个值得认真记录的工业成就。

但历史告诉我们，在这个赛道上，成功从来不是一次性的，它需要在每一个技术迭代的节点上。三星的第一是三十年持续投入的结果，不是一两个超级周期的礼物。

长鑫科技当下的成绩，在很大程度上得益于 AI 超级周期、国产替代需求以及前期研发积累三者的同频共振。

这种共振不会永远持续。当市场重新进入下行周期，当 HBM 赛道的技术分水岭愈发清晰，长鑫科技能否在那个时点仍然保持足够的竞争力，将是这家公司真正的历史性考验。

这场考验尚未到来。但它一定会来。这也是为什么，这个故事还远远没有结束。

责任编辑：杨红卜

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