从千亿亏损到千亿盈利,长鑫科技的崛起之路
十年坚持,一朝翻身。长鑫科技的成功上市,不仅体现了资本市场对国内DRAM存储芯片领军企业的高度肯定和期待,也为那些有耐心、愿意投身复杂项目的资本树立了最佳典范。
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尚未正式挂牌,便已跻身当前商界最受关注的企业行列之一。5月17日,长鑫科技更新了科创板IPO招股说明书的申报材料并提交财务数据,引发广泛关注。
数据显示,2026年第一季度,长鑫科技营收达508亿元,同比增长719.13%,归母净利润为247.62亿元,同比激增超过1688%。公司同时预测,2026年1-6月营收将达1100亿至1200亿元,同比增长612%至677%;归母净利润预计为500亿至570亿元,同比增长2244.03%至2544.19%。市场预计,2026年全年净利润有望突破千亿元。
关于业绩激增的原因,长鑫科技在招股说明书中指出,2026年1-3月,受全球算力需求增长和主要厂商产能调整影响,全球DRAM(动态随机存取存储芯片)产品供不应求,价格自2025年下半年持续大幅上涨。同时,公司产销规模扩大、产品结构优化,推动营收迅速增长。
公开信息显示,长鑫科技成立于2016年,总部位于安徽省合肥市,主要从事DRAM产品的研发、设计、生产和销售。根据Omdia数据,按2025年第四季度DRAM销售额统计,长鑫科技全球市场份额达7.67%,位列全球第四、中国第一。
2025年12月30日,长鑫科技提交科创板上市申请,成为科创板首单预先审阅项目,保荐机构为中金公司(33.810, -0.33, -0.97%)和中信建投(21.970, -0.70, -3.09%)证券。本次IPO拟募集资金295亿元,主要用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目(75亿元)、DRAM存储器技术升级项目(180亿元)、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目(90亿元)。
从营收结构看,长鑫科技主要产品包括DDR(标准双倍数据速率内存)和LPDDR(低功耗双倍数据速率内存)两大系列,涵盖DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X等主流产品。
根据公开资料,科创板历史上最大IPO为2020年上市的中芯国际(127.330, 0.11, 0.09%),预计募资200亿元,实际募资532.3亿元。若成功发行,长鑫科技将成为科创板第二大IPO。
值得注意的是,受固定资产折旧和研发投入影响,直到2025年上半年,长鑫科技仍处于亏损状态。首版招股书显示,2022年至2024年,公司分别净亏损83.28亿元、163.40亿元和71.45亿元,三年累计亏损超300亿元。2025年上半年,公司仍亏损23.32亿元。此后,随着存储行业景气度回升,公司2025年全年实现归母净利润18.75亿元。
尽管市场对长鑫科技盈利能力改善已有预期,但其一季度财报仍令投资者震惊,带动A股“长鑫科技概念股”大涨。5月18日,同花顺(226.390, -9.81, -4.15%)“存储芯片”板块上涨近2%,合百集团(9.690, 0.38, 4.08%)、合肥城建(21.450, -1.84, -7.90%)、中山公用(12.140, -0.20, -1.62%)等个股涨停。此外,与长鑫科技关系密切的兆易创新(443.640, 11.74, 2.72%)一度冲击涨停,市值创历史新高,其创始人朱一明因此备受关注。
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长鑫科技的故事始于2016年,芯片专家朱一明是其背后的关键人物。
资料显示,朱一明1972年出生,17岁以盐城市阜宁县高考第二名成绩考入清华大学物理系,五年内获得学士与硕士学位,为日后深耕芯片领域打下基础。
毕业后,朱一明赴美深造,主攻集成电路设计与存储芯片研究,2000年获纽约州立大学石溪分校电子工程硕士学位。2000年至2004年,他在硅谷从事存储芯片设计工作,历任ipolicy Networks Inc.资深工程师、Monolithic System Technologies Inc.项目主管等职,为回国创业奠定基础。
2005年,朱一明携技术与92万美元启动资金回国,创立北京芯技佳易微电子科技有限公司(兆易创新前身)。公司初期避开了三星、海力士等巨头垄断的DRAM市场,主攻NOR Flash利基市场。
2010年后,兆易创新SPI NOR Flash新品批量出货,存储类芯片销量突破1亿颗,营收快速增长。2013年,公司推出中国首款ARM Cortex-M架构的通用MCU产品(GD32系列),打破国外垄断。2016年,兆易创新成功登陆A股,成为国内存储芯片设计标杆。
在成功攻克NOR Flash后,朱一明将目光投向DRAM市场。2016年5月,他与合肥政府合作创立长鑫科技,全力攻坚DRAM制造。2017年10月,兆易创新与合肥产投签署合作协议,联合开展19nm制程的12英寸晶圆存储器研发项目,预算180亿元,合肥产投承担约144亿元。
2018年1月,长鑫科技12英寸晶圆存储器项目一期厂房建成。同年7月,公司投产电性片,发布首颗中国自主研发的8Gb LPDDR4 DRAM芯片,这是国产DRAM首颗“Made in China”产品。
2019年9月,长鑫科技宣布首批19纳米工艺的DDR4内存芯片量产,这是中国大陆首颗自主研发并实现规模生产的DRAM芯片,标志着中国在该领域实现“从零到一”突破。该芯片为8Gb DDR4,采用19nm级制程,与国际主流工艺同步。至此,长鑫科技成为全球第四家掌握20nm以下DRAM技术的公司。
在经营模式上,长鑫科技采用IDM(垂直整合制造)模式,实现从设计到制造的全流程自主掌控,避免“卡脖子”风险。目前,公司在合肥、北京共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂,产能规模位居中国第一、全球第四。
DRAM行业具有重资产投入和周期性特征,前期投入巨大且周期长,天然排斥轻资产玩家。全球DRAM市场由少数几家巨头垄断,如三星、海力士等,均采用IDM模式。
但IDM模式也面临资本开支高、折旧压力大等风险。长鑫科技在朱一明的战略定力与合肥国资支持下,最终实现逆袭。
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自上世纪80年代以来,全球DRAM产业呈现周期性特征。在“赚一亏二”的规律下,逆周期投资成为DRAM行业竞争手段。以三星为代表的巨头通过逆周期投资扩张产能,压低价格,迫使竞争对手破产,最终在需求回暖时独享市场红利。
在上一轮景气周期(2020-2021年)中,由于疫情催生的居家办公需求,各大存储原厂积累大量库存。但自2021年4月以来,全球消费电子需求下行,DRAM价格见顶回落。数据显示,2Gb DDR3颗粒合约价从2021年5月高点2.13美元暴跌至12月0.88美元,跌幅58%;现货价从年初2.32美元跌至约0.7美元,跌幅超70%。
随着产品价格跌破现金成本,日本尔必达无力维持运营,于2012年2月申请破产保护,日本厂商全部退出DRAM产业。至此,全球DRAM领域仅剩三星、美光、海力士三家企业,市场格局再次变化。
进入2023年,全球消费电子需求低迷,DRAM和NAND闪存价格平均下滑40%。作为全球存储霸主,三星半导体业务2023年全年巨亏约800亿元人民币(14.9万亿韩元),美光和SK海力士同样陷入严重亏损。
另一方面,长鑫科技虽在产品研发上取得进步,但工艺水平、产能规模相较行业三巨头仍处劣势,导致产品成本远高于竞争对手。在价格战下,公司2023年亏损163.40亿元。分产品看,DDR、LPDDR两大产品系列毛利率分别为-108.76%、-121.37%。
就在“卖一片、亏一片”的压力下,长鑫科技仍加速抢占市场。对此,朱一明等核心团队表示:“半导体行业从来都是周期性的,只有能在低谷期活下来并持续投入的人,才能在高潮期收获果实。”
为打赢“逆周期之战”,长鑫科技持续推进融资扩股,引入国家大基金及地方国资入股。合肥国资十年间为公司累计注资超1000亿元,保障高强度研发投入,成为公司逆袭的坚强后盾。
2024年以来,随着大模型从训练走向推理和AI智能体应用,AI基础设施产生海量数据(17.870, 0.27, 1.53%)存储与高速访问需求,高性能DRAM、HBM等需求爆发,存储芯片市场迎来新一轮上升周期。2024年,长鑫科技综合毛利率从-112.71%提升至-4.03%,基本看到盈利曙光。
2025年下半年以来,AI、数据中心等需求爆发带来存储产品市场需求扩大,内存条、硬盘等产品涨价热潮席卷市场,长鑫科技成功扭亏为盈。数据显示,公司2025年全年实现归母净利润18.75亿元,毛利率进一步提升至37.81%。
若按公司上半年业绩预测金额计算,长鑫科技最近四个季度(2025年Q3-2026年Q2)累计实现净利润542亿至612亿元。有分析认为,从目前A股科技股牛市氛围及公司暴涨业绩看,其IPO后或将达到2万亿元市值。
作为“世纪豪赌”最大出资方,合肥国资迎来丰厚回报。从股权结构看,长鑫科技前五大股东分别为合肥清辉集电(21.67%)、长鑫集成(11.71%)、大基金二期(8.73%)、合肥集鑫(8.37%)和安徽省投(7.91%)。其中,长鑫集成由合肥市国资委通过合肥产投100%控股,清辉集电由合肥经开区国资体系(芯睿投资)和合肥市产投体系共同控制,合肥国资拥有绝对话语权。
此外,合肥本土国资投资体系还包括产投壹号(持股约1.85%)、合肥建长(持股约1.50%)等机构。由此计算,合肥国资至少持有公司35%股权。若按公司2万亿市值估算,合肥国资或将收获超5000亿元账面浮盈。
另一方面,作为长鑫科技幕后功臣,朱一明同样有丰厚回报。数据显示,穿透股权结构后,朱一明对公司的合计持股比例约为2.66%。随着公司上市兑现,朱一明的个人财富版图将迎来史诗级扩张。显然,长鑫科技的上市,不仅代表资本市场对国产DRAM存储芯片龙头的高度认可与期待,也为所有愿意沉下心来做难事、做大事的“耐心资本”颁发了最好的勋章。







