韩国存储扩产计划恐难落地

快科技7月14日讯，美国银行最新研报显示，韩国总统李在明高调提出的“2030年产能翻倍”目标正面临严峻现实挑战。

6月末，李在明推出总额达800兆韩元的巨额投资方案，旨在韩国西南沿海的光州、全罗地区建设“存储产业新集群”，期望到2030年实现三星与SK海力士DRAM晶圆产能倍增。

三星和SK海力士占据全球超过半数DRAM市场份额，在HBM领域占比更超八成，美光于7月初也宣布投入93亿美元在日本扩充HBM产能，预计两年后开始出货。

消息公布后，市场忧虑供给过剩引发价格暴跌，全球存储类股随即重挫，美光单周跌幅达15%，铠侠下跌10%，闪迪市值缩水近两成。

不过美国银行在最新报告中强调，评估韩国存储芯片供给是否真正增加尚早，2030年产能翻倍看似惊人，但拉长周期看仅相当于每年约15%的复合增长率。

剔除旧厂因技术升级关停及制程微缩带来的产能损耗后，实际运行的晶圆产能扩张率将低于10%，至2030年的增长远未达到翻倍水平。

供应链内部透露，SK海力士2028年实际新增产能可能仅为最初规划的六分之一。

此外还存在物理瓶颈，一位中国台湾存储芯片厂商指出，光州和全罗目前产业以石化与钢铁为主，基础设施需从零搭建，仅地基建设就需约五年，后续洁净室与设备装配还需三至四年，整个制造生态链建成恐超十年。

资深产业分析师直言，该计划在李在明任期内难以完成，目前更多是宣示意义而非实质行动。

责任编辑：黑白