长鑫科技上市引爆存储赛道，国产DRAM能否撼动韩企霸权？

记者|陈鹏丽

编辑|金冥羽陈俊杰 杜波校对|董兴生

近日，国产DRAM（动态随机存取存储器）领军企业长鑫科技（SH688825）成为海内外资本市场上存储芯片领域的焦点。

7月16日，长鑫科技启动科创板申购，发行价定为8.66元/股。若全额行使超额配售选择权，预计募资总额将达666亿元左右，成为本年度A股规模最大的IPO（首次公开募股）。综合多家机构预测，其上市后市值有望落在2万亿至3万亿元区间。

数据显示，网上发行初步中签率为0.40995452%。启动回拨机制后，最终网上中签率定格在0.47141739%。社交平台上，不少中签投资者已晒出结果。

IPO上市仅是长鑫科技的新征程。据招股书披露，本次IPO原计划募资295亿元，将全部投入DRAM核心业务。Citrini Research分析指出，若现有项目按计划推进，到2026年底，长鑫科技DRAM晶圆月产能将攀升至约35万片，直逼全球三大内存巨头之一的美光。

7月17日，北京大道兴业投资创始人黄华艳在接受《每日经济新闻》采访时指出，长鑫科技的上市有望重塑全球DRAM竞争格局，打破海外定价垄断，并加速国内存储全产业链的国产化进程。Counterpoint Research研究总监MS Hwang直言：“未来几年，将是决定中国DRAM产业长期竞争力的关键时期”。

7月16日，国产存储“双子星”之一的长江存储也传出IPO加速消息。未来几年，中高端存储芯片国产化将如何演进？我们何时能追平三星、SK海力士等韩国巨头？

长鑫科技IPO的钟声，在全球存储市场充满戏剧性的时刻敲响。一边是国内投资者热情高涨参与新股申购；另一边，海外市场存储芯片股遭遇剧烈震荡，股价集体回调。

根据上海证券交易所7月16日晚披露的数据，长鑫科技当日IPO网上发行有效申购户数达942.88万户，最终中签率约0.47%，两项数据均刷新科创板纪录。然而另一方面，受多重利空影响，海外芯片股集体大跌。7月16日早盘，韩国KOSPI指数开盘即跌4.4%，存储芯片股普跌。当晚美股开盘后，半导体、存储、光通信概念股亦集体重挫，闪闪迪一度大跌超9%，SK海力士ADR一度下跌超8%。

相关分析认为，海外存储股的震荡，主要源于大幅上涨后的“获利回吐”。不过摩根士丹利近期在下调三星电子和SK海力士投资评级时提出了另一种观点：中国内存厂商（长鑫科技）大额募资扩产DRAM、长江存储三期产线加速爬坡，产能释放速度远超市场预期。国产存储的扩产将削弱三星、SK海力士、美光的长期供给主导地位，给全球存储定价与盈利周期带来持续的不确定性。

黄华艳向《每日经济新闻》记者分析称，长鑫科技上市对国内存储芯片产业的意义主要体现在：重构全球DRAM竞争格局，打破海外定价霸权；带动国内存储全产业链国产化提速；完善国产存储“双龙头”生态；加速高端存储技术国产突破；在资本层面树立硬科技标杆，吸引海量社会资本进入存储及半导体制造赛道，完善国内存储产业投融资生态等。

从业绩表现看，长鑫科技IPO踩准了AI（人工智能）驱动的“超级周期”。招股书显示，2023年至2025年间，公司曾一度面临亏损。然而进入2026年，公司业绩迎来爆发式增长。2026年第一季度，长鑫科技归母净利润达247.62亿元，同比增长1688.3%。公司预计2026年上半年归母净利润将达到500亿至570亿元。

“中国存储厂商将是本轮存储景气周期中最大的受益者。”Counterpoint Research研究总监MS Hwang于7月17日接受记者采访时表示，随着全球供应逐步增加，以及高价格对需求增长形成抑制，本轮行业景气周期将在2028年前后趋于稳定。不过，即使行业进入相对稳定阶段，整体市场收入仍将远高于过去几年水平，预计将维持数倍规模。

据Omdia统计，按2025年第四季度销售额计算，长鑫科技的全球DRAM市场份额已增至7.67%，稳居全球第四、中国第一。

黄华艳告诉记者，长鑫科技的投资价值在于，它是我国唯一具备DRAM完整IDM（垂直整合器件制造，企业自主覆盖芯片设计、晶圆制造、封装测试全链条）规模化量产能力的企业，属于半导体国产化的核心资产。“投资科技就是投资成长赛道，目前长鑫科技具有稀缺壁垒的成长价值。”

放眼全球DRAM市场，三星电子、SK海力士和美光科技三家国际厂商占据绝大部分市场份额。国内厂商中，长鑫科技正逐步崭露头角。不过，从第三方机构数据看，长鑫科技的市场份额与美光科技仍有较大差距。CINNO Research资深分析师王菁表示，长鑫目前渗透提升最快的是手机（LPDDR5/5X）、PC（个人电脑）与服务器（DDR5）以及通用DRAM整体。

长鑫科技的招股书同样显示，公司LPDDR5、DDR5和LPDDR5X产品分别于2023年、2024年和2025年上半年量产，在中高端市场的渗透率快速提高。这其中的重要背景是，AI浪潮下，海外三大厂将大量产能转向高利润HBM（高带宽内存），主动让出中端通用DRAM市场，这让长鑫科技吃到了最大的份额红利。长鑫科技2026年爆发式增长的业绩也印证了这一点。

据悉，去年11月IC China（中国国际半导体博览会）上，长鑫首次全面展示DDR5和LPDDR5X两大产品线的最新产品，LPDDR5X 8533和9600已经量产，10667产品已经送样，产品规格已追上世界第一梯队。目前公司正持续将DDR4产能切换向DDR5，并积极提升产能。

“我认为（国产化）跃迁是必然的，中端存储确定性全面跃迁将在2~3年内完成。”黄华艳在接受采访时表示。他认为，在海外大厂将大量产能转向高利润HBM，主动让出中端通用DRAM市场的背景下，国内政企、云厂商、消费电子品牌会强制国产化备货，预计到2028年，国内中端DRAM自给率有望从当前约8%提升至25%~30%。

MS Hwang在接受采访中也表示，未来几年将是决定中国DRAM产业长期竞争力的关键阶段。“受美国设备限制影响，中国DRAM厂商目前在2D制程升级方面基本受限于1a节点，因此，未来能否在VCT、键合技术、3D DRAM以及HBM等新技术方向取得突破，将成为行业发展的核心挑战。尽管突破难度极大，但当前中国DRAM产业的实力正被低估，具备实现突破的潜力。”

尽管以长鑫科技为代表的国内存储厂商在过去几年实现了全球市场份额的跨越式发展，与韩国三巨头的技术差距正在快速缩小。但在先进制程、HBM等高端产品领域，我国厂商与三星、SK海力士、美光等国际巨头仍存在较明显差距。国产存储的优势体现在消费级中端市场，高毛利AI存储难以分羹。

“（在高端DRAM或HBM领域）至少在2030年前，中国厂商很难追赶上韩国巨头。”MS Hwang在接受记者采访时给出了判断。他指出，韩国厂商目前仍在持续扩大HBM产能，并依靠其高盈利能力持续加大研发投入，领先优势预计将得以延续。

MS Hwang补充道：“不过，中国市场本身也是一个重要变量。如果未来中国DRAM厂商能够生产满足国内市场需求的产品，而不是依赖进口，那么庞大的本土市场将形成稳定需求，这将显著改变整个产业竞争格局，并有助于缩小与国际领先厂商之间的差距。”

更大的挑战来自技术路线的切换和外部限制。王菁向《每日经济新闻》记者指出，由于缺少EUV光刻机（极紫外光刻机）且受到设备出口管制，长鑫科技在技术节点上落后国际先进水平约两代，产品的单位容量成本比三大厂明显偏高，且难以突破HBM良率。

MS Hwang强调，中国存储厂商要实现高端存储突破，需要吸取过去产业发展的经验，重点关注三个方面。首先，要确保不存在知识产权方面的法律风险。这是参与全球竞争的基础，而不仅仅是立足中国市场的要求。其次，需要建立足够的市场规模，实现依靠自身EBITDA（息税折旧摊销前利润）支持资本开支（CAPEX）的能力。“我们认为，约15%的市场份额是实现这一目标的重要门槛。”最后，真正的技术领先往往来自创新，而不是简单追赶。无论是上世纪90年代韩国在堆叠与沟槽技术路线的选择、三星的3D NAND，以及长江存储的Xtacking架构，都是通过加快技术创新实现突破，而非单纯追求短期投资回报。

长鑫科技的上市，是中国DRAM产业“十年磨一剑”的成人礼，也是另一场持久战的真正开端。