存储老兵MLC狂涨三倍，巨头离场谁补位？

在全球激烈竞争AI基础设施产能的局势下，各类存储芯片日益紧缺，因产能转移引发的供需缺口正不断扩张。

随着三星、铠侠、美光等国际巨头集体撤出MLC（多层单元）NAND闪存市场，这位昔日平凡的“老兵”近期价格飙升300%。由此引发的供应短缺，正给汽车电子、工业控制及医疗设备等行业带来潜在冲击。

NAND产业的演进逻辑是通过垂直堆叠实现扩容，MLC正如字面所示，多采用二维平面堆叠，即2D NAND。当前行业主流已升级至TLC（三层单元）和QLC（四层单元）阶段，正式迈入3D NAND时代。

显而易见，上游存储厂商决定逐步停產MLC，既基于产品自身迭代的考量，也是为了将产能留给利润更丰厚的产品。随着海外大厂相继停产，国内产业链厂商也迎来了一定发展机遇。

在整体产能受限的情况下，上游存储原厂正主动退出部分低利润市场，MLC NAND正是其中之一。

近期，Kioxia（铠侠）宣布停产部分旧制程产品，包括小容量TSOP封装产品、部分传统浮栅式2D NAND以及第三代BiCS FLASH产品将逐步退出市场。

TSOP封装主要应用于低容量MLC NAND Flash存储器，有观点认为，铠侠此次宣布停产，可能意味着其将彻底退出该领域。

对此，铠侠中国区董事长兼总裁岡本成之近日回应称，这是基于新旧技术更替的考量，也是行业内的普遍现象。

不仅是铠侠，此前三星、SK海力士和美光也已接连宣布，MLC相关产品已进入生命周期尾声，相关产线将不再扩产。

据TrendForce集邦咨询调研显示，SK海力士和美光基本将MLC产量控制在满足现有客户需求的水平，缺乏扩产动力。因此，预计2026年全球MLC NAND闪存产能将同比下降41.7%，进一步加剧供需失衡。

一位存储行业从业者向21世纪经济报道记者分析，在技术迭代和利润目标驱动下，上游存储原厂根据生命周期管理淘汰落后制程产品，属于行业正常的开发行为。同时，将优质产能聚焦于企业级等高附加值领域也是普遍趋势。

在产能极度有限的背景下，MLC NAND这类“高龄”产品的价格反而开始大幅攀升。

CFM闪存市场分析师杨伊婷告知21世纪经济报道记者，消费类MLC eMMC原厂供应基本已停止，三星车规级MLC将于明年一季度停止供应，导致现货市场MLC eMMC价格剧烈波动，8GB eMMC甚至出现了110美元的极端高价。

Counterpoint Research高级分析师Jeongku Choi也向21世纪经济报道记者指出，其月度存储追踪数据显示，MLC NAND价格同比上涨约300%。以16Gb MLC NAND为例，价格已从2025年一季度的约3.2美元上涨至预计2026年二季度的约12.9美元。

“本轮价格上涨主要由MLC产品持续退市引发的供需失衡推动。”Jeongku Choi进一步指出，当前MLC NAND价格快速上涨的核心原因在于退市节奏明显加快。“以往EOL通常需数年逐步完成，但本轮MLC NAND的退出周期被压缩至约一年内。同时，AI需求的爆发推动产能向服务器产品倾斜，进一步加剧了MLC供应紧张。”

MLC NAND的终端需求主要集中在工控、车用电子、医疗设备和网通等领域，这些应用对产品可靠性、写入寿命及长期供货承诺要求极高。其中，汽车行业受到的影响最为显著。

杨伊婷对21世纪经济报道记者指出，车规级MLC eMMC主要应用于T-BOX、仪表、HUD及中低端座舱等领域。“通常使用MLC的场景对性能和容量要求不高，基本无需大容量UFS，够用即可。而车规级芯片和模块验证周期漫长，且车规级零部件量产生命周期至少3至5年，汽车厂商按年与原厂洽谈价格和供应，对AI存储供需的即时变化并不敏感，此前一度低估了存储短缺的严重程度及原厂停產MLC产线转向高价值服务器存储的决心，导致汽车产业在存储涨价和缺货中遭受的冲击最为严重。”

面对MLC供应断层，部分具备承接能力的厂商已开始行动。

TrendForce集邦咨询表示，由于MLC NAND Flash长期供货体系出现断层，长期深耕嵌入式与高可靠性存储器市场的旺宏，相对具备承接这一利基型需求的优势。旺宏已削减原有NOR Flash产能，以扩大MLC NAND Flash供应。

Jeongku Choi则向记者指出，当前2D NAND的供给缺口较难完全填补。“国内厂商中，长江存储（YMTC）拥有相对最大的可用产能，但其同样将优先满足服务器端对TLC与QLC产品的需求，以抓住AI带来的结构性机会，因此可用于缓解MLC短缺的空间有限。”

当然，按常规而言，终端市场终将逐步采用新一代技术和产品，因此转向更高工艺制程的TLC产品正成为趋势。

杨伊婷对记者表示，除铠侠将继续供应车规级eMMC至2028年外，国内存储厂商也在通过自行设计及流片尝试填补部分供应缺口，同时汽车产业将加速64GB TLC eMMC/UFS的验证与应用。

“下游MLC NAND应用确实将逐步向TLC迁移。”Jeongku Choi对记者指出，与仍在汽车等长生命周期基础设施中保持重要性的传统DRAM不同，MLC NAND在性能上已被SLC超越，在成本效率上又被TLC和QLC取代，其竞争优势正受到双向挤压。

“下游市场已开始向TLC和QLC迁移以降低成本，而随着上游MLC供应持续收紧，这一替代趋势预计将进一步加速。”但他也提到，由此带来的BOM成本上升将压缩下游厂商利润，其中以服务网络设备厂商及大型OEM的工业与嵌入式供应商受影响最为明显。

集邦咨询也提到，长期来看，MLC NAND的主要终端市场成长空间有限，且若部分应用加速导入强化版TLC解决方案，或整体NAND Flash市场景气明显反转，MLC产品价格仍可能间接承压。

从“大宗商品”到“利基奢侈品”，MLC NAND的命运变迁是AI时代存储产业资源再分配的缩影。在资本支出和洁净室空间有限的前提下，上游原厂毅然将产能向HBM、高层数3D NAND等更高利润产品倾斜，而曾支撑汽车、工控、医疗等实体产业稳定运行的成熟存储产品，则因单位产值低而被加速淘汰。

这一趋势短期内难以逆转，下游终端市场不得不加速技术替代和供应链重构。

对于国内存储厂商而言，能否在海外巨头退出的间隙中，以稳定的供货能力和可靠的产品质量赢得客户信任，并在专利壁垒之下找到自主创新的突破口，将决定中国存储产业在这场全球格局重塑中能否真正站稳脚跟。

（作者：骆轶琪 编辑：包芳鸣）