三星率先发布HBM4E芯片样品，引领AI存储技术

三星电子宣布已开始为客户供应业界领先的12层HBM4E样品，在AI存储芯片领域取得竞争优势。

这家韩国科技巨头表示，新推出的48GB容量12层HBM4E相比前代产品性能提升超30%。该公司于今年2月实现HBM4的批量生产，这一进展体现了高带宽内存市场的发展速度。

HBM芯片采用多层DRAM垂直堆叠技术，既能大幅提升数据传输效率又能降低能耗，现已成为AI处理器的核心组件。

伴随着AI基础设施建设的加速推进，市场对高性能、低功耗存储芯片的需求持续攀升，存储芯片厂商正积极争夺未来AI系统订单。

三星率先推出12层HBM4产品，这或将强化其对比SK海力士等对手的市场地位。SK海力士在4月曾表示，计划2027年实现HBM4E量产，并于今年下半年向客户提供HBM4E样品。

责任编辑：王永生

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