GE与Wolfspeed联手加速高压碳化硅商业化进程

通用电气（GE）航空航天与Wolfspeed公司于6月8日正式达成战略合作协议，双方将致力于高压碳化硅技术的研发与应用，旨在加速该技术在工业、航空航天及国防等领域的商业化落地。

此次合作的焦点在于Wolfspeed推出的全球首款商用10千伏碳化硅MOSFET芯片。根据协议，双方将致力于制定高压功率模块的行业标准，并将其应用于固态变压器、工业电气化以及下一代航空航天和国防平台，同时增强供应链的稳定性。GE航空航天电气动力总裁Kris Shepherd指出，采用更高电压的功率模块能够减少系统串联元件的数量，从而降低系统复杂度，实现更加紧凑、高效且可靠的解决方案。

Wolfspeed首席执行官Robert Feurle在声明中强调：“高压碳化硅技术已做好量产准备，这正逢市场急需突破传统硅技术电力传输瓶颈之时。”他认为，随着人工智能、电气化和国防平台对功率需求的不断增长，双方在提供市场所需的高压碳化硅基础模块方面具备独特的优势。

这一合作依托于双方深厚的技术积累。GE航空航天近期完成了面向美国军用地面车辆的高压电源单元认证，并成功演示了第四代碳化硅功率MOSFET器件，在开关速度、效率和耐久性方面均有所提升。而Wolfspeed则在200毫米碳化硅的大规模制造领域处于行业领先地位。

受此利好消息影响，Wolfspeed股价在盘前交易中大幅上涨超过13%。业内分析认为，GE航空航天的加入为Wolfspeed提供了来自重量级工业客户的强力背书，这将有助于增强市场对其10千伏产品商业化前景的信心。

责任编辑：张俊 SF065

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