天岳先进早盘上扬近 4%，稳居 8 英寸 SiC 衬底龙头地位
扎根香港，布局全球。新浪财经全球资本峰会金曜奖评选正式开启！发掘最具潜力的资本力量，您的投票举足轻重 立即参与 天岳先进（02631）早间涨幅一度接近 7%，截至今日发稿，股价上扬 3.97%，现价为 104.80 港元，成交总额达 3.74 亿港元。 伴随英伟达等 AI 芯片能耗急剧攀升，传统硅基电源架构已逼近物理极限。产业界正快速向 800V 高压直流（HVDC）架构转型，碳化硅已成为 AI 服务器固态变压器及电源管理的关键材料。英飞凌、意法半导体等行业巨头明确指出，AI 数据中心的建设引发了多种功率
AI 被忽视的超级赛道：碳化硅及六只低位潜力股
当市场目光全聚焦于光模块（CPO）、算力芯片与服务器之时，真正遭到低估的核心主线，实则是碳化硅！全球顶尖 AI 供应链研究机构 Citrini 发出强音，明确界定：碳化硅乃是 AI 电源领域增长最快的赛道，也是当前 AI 产业链中价值被严重低估的黄金主线！此外，两家全球巨头同步宣布战略布局，彻底夯实了碳化硅的战略地位：其一，三星电子确立时间表：计划于 2027 年建成碳化硅原型试点产线，2028 年实现正式量产，全面进军 AI 电源及车载高压领域；其二，英伟达推动重大革新：在新一代 Rubin 处理器规划
AI引领碳化硅SiC行业新变革
AI新主线：碳化硅SiC》核心观点指出：人工智能技术的进步正为碳化硅（SiC）产业注入全新的增量动力，促使行业由传统的“车规定价”模式向“AI需求拉动”模式转型。 一、电源市场需求攀升 1. AI电源800V应用引发巨变 - 背景：伴随AI大模型训练及推理需求的井喷，以NVIDIA Blackwell为代表的新一代AI芯片功耗激增（单颗超过1kW），旧有的54V低压直流供电架构遭遇物理瓶颈。 - 变革：英伟达确立了800V HVDC高压直流供电架构的主导地位。 - SiC获益：SiC有望成为AI电源领域的
华为智擎800V高压碳化硅平台首发问界M9，续航能效双突破
快科技5月29日消息，日前，2025款问界M9全系正式上市，24小时内订单量突破2万辆，该车型升级幅度显著，其中最引人关注的是首次搭载华为智擎全800V高压双碳化硅动力平台。 该动力平台作为华为智擎的明星产品，融合了自研高效碳化硅功率模组，大幅降低了开关损耗。 配合智能油冷技术2.0与智能能量管理系统，电驱系统效率达到93.5%，创下量产车型最高纪录，实现能效与续航的双重突破，纯电版问界M9依托此平台，CLTC综合续航最高可达750km，续航达成率表现亮眼。 针对增程车型常见的充电速率慢、能效不高等问题，
碳化硅产业发展现状与趋势分析
一、SIC应该是还有一些报告没丢进去所以没有把眼镜给列出来仅限于近期的几分调研报告的观点总结二、半导体设备这个是海外和国内的一份调研结合以下内容以调研文件中提到的关键观点为基准，与外部公开信息、权威机构数据及企业财报等进行交叉验证，帮助您快速了解哪些观点在外部得到验证、哪些存在矛盾或风险。关键验证结论：TrendForce预计数据中心电源系统中SiC和GaN渗透率在2026年达17%，2030年将超过30%，而调研文件称当前数据中心渗透率仅5%、90%以上方案仍为硅基——这个数据可能偏低，应考虑2026年
赛晶科技午后飙升超6% 全力推动数据中心业务布局
赛晶科技（00580）昨日涨幅高达25%，今日午后盘中一度突破7%，截至今日收盘，股价上涨5.88%，报2.88港元，成交额达9307.36万港元。 电源芯片行业掀起涨价浪潮。英飞凌宣布自7月1日起对部分产品再次提价，这是其在2026年内的第二轮调价行动。德州仪器也计划从7月1日开始提价，涉及电源管理芯片（PMIC）及MOSFET等产品，同样为2026年内的第二次涨价。此外，麦克微半导体、江苏捷捷微电(37.460, 1.29, 3.57%)等中国供应商也加入此次涨价行列。 值得关注的是，赛晶科技正全力推
AI算力新周期：800V高压直流与固态变压器引领供电变革
AI算力密度正迈向兆瓦级时代。供电链路、变压器、电源架构、功率半导体，正成为下一阶段AI基础设施升级的关键方向。尤其是英伟达倡导的800V直流架构，以及固态变压器（SST）路线，正在重塑传统数据中心的供电逻辑。当前主流AI机柜功率大约在几十千瓦到100kW附近。但依据英伟达未来路线图，下一代高密度AI机柜功率还将持续攀升。部分方案甚至已开始探讨兆瓦级机柜。这意味着传统54V低压供电体系将面临多重挑战：随着功率继续提高，传统架构中的工频变压器、低压配电柜、整流环节、UPS系统，均将遭遇效率与体积瓶颈。数据中
AI 算力引爆碳化硅行情，低位龙头获主力猛攻！谁在独享电源红利？九成散户误入歧途
碳化硅价值被极度低估，逆势大幅上扬！机构资金争抢龙头，谁能收割 AI 电源红利？九成散户仍在错误赛道中深陷泥潭！🔥张老盈重点提示：以事件驱动为基础，以主力净流入为关键！AI 算力激增带动碳化硅需求，板块逆势走强，海外机构称其为“被严重忽视的核心主线”！实在无奈，九成散户混淆功率器件与衬底材料，盲目追逐劣质股，错失算力电源这一刚需赛道！张老盈投资核心（必读）事件驱动是前提，主力净流入是核心！本轮碳化硅行情的关键在于 AI 算力电源升级与新能源汽车渗透率提升，仅聚焦三类标的：①具备碳化硅衬底或器件量产能力②主
天岳先进早盘飙升超 17%，AI 电源驱动碳化硅赛道升温
扎根香港，布局全球。新浪财经全球资本峰会金曜奖评选正式开启！发掘最具潜力的资本标杆，您的投票举足轻重 立即投票 天岳先进（02631）盘中涨幅一度突破 20%，截至今日发稿，股价攀升 16.87%，现价为 127.50 港元，成交总额达 11.15 亿港元。 伴随 AI 数据中心电源架构加速迈向 800V 高压直流（HVDC）时代，碳化硅市场需求呈现爆发式增长。据产业调研数据揭示，AI 电源对碳化硅的需求季度环比增幅达 20% 至 30%，800V 架构已促使碳化硅从“备选方案”转变为“必备选项”。华西证
AI硬件板块强势崛起
5月22日市场回顾：AI硬件链强势拉升，PCB与MLCC概念股批量涨停！今日（5月22日）A股全线上扬，市场情绪高涨！推动本轮上涨的核心因素是摩根士丹利拆解了英伟达新一代Rubin机架，测算出硬件价值显著上升——PCB增长233%、MLCC增长182%，资金迅速涌入AI硬件产业链，导致PCB和MLCC板块多股涨停，市场赚钱效应显著！下面来看当前持仓和新开仓情况，用通俗语言讲清投资逻辑～一、持仓分析：整体强势，逻辑坚实1. 国瓷材料：单日大涨16.5%！MLCC与AI陶瓷双重龙头今日股价强势上扬，主要受益于
人工智能激活SiC产业，衬底设备迎来双重机遇
人工智能激活SiC产业，衬底设备迎来双重机遇 SiC产业正在经历由人工智能需求引发的景气周期逆转。业内多家企业一季度业绩说明会及公告均显示行业景气度明显回升，其中人工智能供电领域需求增长尤为突出，推动全球SiC核心标的在资本市场上表现亮眼，富士康、博世、三星等领军企业也在加速布局。人工智能数据中心能耗急剧上升，加上英伟达800V架构的推出，使得人工智能电源成为重要的增量市场，SiC作为功率器件的关键材料有望深度受益，相关产业链已开始部署SiC固态变压器（SST）技术。结合车规级市场渗透率仍然较低以及人工智
天岳先进股价飙升逾13% 已成功切入国际领先半导体企业供应体系
天岳先进（02631）股价盘中涨幅超过13%，截至发稿时，股价上扬5.86%，暂报102.10港元，成交额达5.21亿港元。英伟达引领数据中心电源架构向800V高压直流方向演进，大幅提升SiC的价值量与市场渗透率。根据Citrini研究机构测算，每1MW AI机柜电源转换BOM成本中，SiC、GaN等宽禁带半导体器件占新增成本的64%。2024至2030年间，SiC市场规模预计将从35亿美元跃升至124亿美元，人工智能基础设施将贡献近半数需求增长。国信证券研报指出，依据日本富士经济26年的数据，2025年
小米 YU7 GT 震撼登场：2.92 秒破百，售价 38.99 万
新浪科技讯 5 月 21 日晚消息，在小米人车家全生态新品发布会现场，小米集团董事长兼 CEO 雷军登台发表主题演讲。本次发布会正式推出了小米 YU7 GT，该车型定位为跑车级 SUV，核心卖点聚焦于极致性能、豪华舒适体验以及超长续航能力。小米 YU7 GT 装配了小米超级电机 V8s EVO，相比前代 V8s 电机，其最高转速跃升至 28000rpm，功率增长 5.9%，综合效率优化 0.5%，CLTC 工况下续航增加 6.4 公里；该车采用双电机驱动系统，最大马力高达 1003PS，极速可达 300k
AI驱动碳化硅产业爆发，四大龙头公司深度解析
随着智算中心能耗持续攀升，英伟达正式推出800V高压直流供电架构，全球功率半导体器件交付周期正在延长，部分龙头企业交期已突破30周。由于各地区成熟制程产能普遍处于满负荷状态，下半年产能紧张局面预计将进一步加剧。英飞凌等行业巨头明确表示，AI数据中心的加速部署正在推动功率开关与集成电路产品出现供应缺口。这些产业变化为碳化硅材料创造了全新的市场机遇。本文将围绕AI数据中心和终端硬件为碳化硅开辟的应用场景进行系统梳理，汇总全球主要厂商在8英寸产线方面的最新扩产动态，介绍从衬底、晶体生长设备到固态变压器等细分领域
AI算力供电：产业链核心标的全面梳理
近期市场对AI电源800V发展趋势的关注度持续攀升，上游电子元器件的受益逻辑愈发清晰。相关标的1、SiC：天岳先进（688234）：全球SiC衬底领军企业+AI电源关键材料+市场份额全球第一。在AI电源/SiC领域，公司充分受益于AI算力激增对高压、高效电源的刚性需求，其导电型碳化硅衬底是制造SiC功率器件的核心基础材料。2025年导电型衬底全球市场份额达27.6%，超越Wolfspeed位居全球第一，其中8英寸衬底市场份额高达51.3%。其核心优势体现在：1)全球市场份额第一：衬底是SiC产业链中价值量