芯联动力发布3300V碳化硅器件，突破国内高压应用瓶颈

新浪科技讯 6月23日下午消息，芯联集成(9.410, 0.40, 4.44%)旗下子公司芯联动力宣告正式发布3300V SiC MOSFET器件。该产品弥补了国内高压SiC器件在固态变压器核心功率环节中的关键不足，成为AI基础设施电源及高压宽禁带半导体领域的重大突破。

随着生成式AI计算需求急速攀升，单个AI机柜功率密度正朝兆瓦级别发展。英伟达年初宣布推动AI数据中心供电架构向800V HVDC转变，固态变压器成为AI数据中心领域的关键组件；在智能电网与新能源领域，固态变压器同样扮演核心角色。随着固态变压器市场逐步扩大，高压SiC器件将迎来更明确的规模化需求。

据悉，此次芯联动力推出的3300V SiC MOSFET器件针对固态变压器（SST）等高压、高功率密度、高可靠性应用场景专门定制，目前已向核心客户送样测试。基于3300V器件优势形成的综合方案，可实现系统级BOM成本削减20%-35%，为固态变压器向更高开关频率、更小体积和更高转换效率发展提供核心器件支持。

芯联动力专注于碳化硅（SiC） 和氮化镓（GaN） 的一站式系统解决方案，主要服务于新能源车、AI数据中心电源、能源与工控等领域，拥有国内首条8英寸碳化硅MOSFET产线，是国内少数实现新能源汽车主驱SiC 芯片量产的企业，目前主要布局数据中心800V HVDC的SiC及GaN解决方案、固态变压器SST器件等AIDC领域。据第三方研究平台NE时代发布2026年一季度数据，芯联动力碳化硅功率模块装机量位居国内第二，市场份额达到14.6%。

责任编辑：江钰涵

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