人工智能电源组件：倍增的增长潜力！

【天风电子】强烈建议关注AI电源系统机遇：800V架构推动功率、模拟与被动元件全面价值上涨，单瓦成本翻倍

主要见解：AI电源器件已从“低谷阶段”转向“结构性景气上升”。800V高压平台配合单卡3kW/机柜1MW功率提升，带动功率器件（SiC/GaN）、模拟芯片（Drmos）、被动元件（MLCC/钽电容/电感等）三大领域量价齐升，单瓦价格有望增加一倍以上，市场总规模可能实现4至5倍增长。

功率模拟器件：SiC/GaN使用量呈现非线性扩展，高压化重新定义价值布局，功率密度增加推动Drmos同步增长

传统架构下功率器件仅为0.62元/W，800V架构下全链路总和预计可达1.2-1.55元/W，翻倍有余，主要变动源于高压化促使SiC从无到有（SST/PSU），高频化加速GaN应用比例（IBC/VRM）；

模拟控制与驱动器件扩展提速，单台AI服务器DrMOS用量从数十颗增加到数百颗，单机价值从数百美元攀升至数千美元，未来垂直供电（VPD）趋势下，DrMOS向PCB背面或芯片下方整合，Z轴供电方案（如MPS）对DrMOS性能要求更为严格，800V下耐压等级、开关频率、精度标准全面升级，价值膨胀已成定局；

被动元件：MLCC/钽电容/电感/薄膜电容/超级电容广泛获益

涨价浪潮已启动：2025年下半年至2026年初，全球被动元件步入全品类、多轮次涨价阶段，涨幅达5%-30%，高端产品更为显著；村田高端MLCC交付周期延长至22-24周，库存降至五年最低点。

MLCC单机用量翻倍以上，高端100V以上高压高容短缺加剧；钽电容是VRM低ESR储能关键；电感使用量增加，TLVR耦合电感取代传统分立电感并新增补偿电感Lc；薄膜电容SST/800V DC-Link从零起步；超级电容BBU未来成为标准配置，单机柜被动元件总额超过2.5万美元。

技术革新：800V+垂直供电+TLVR三重驱动。800V规避54V/18.5kA超大电流母线；VPD从平面→背面垂直（PDN 10-15µΩ）→基板集成（7-10µΩ）；TLVR双绕组磁耦合配合超薄封装。

值得留意：

功率模拟器件：华峰测控、圣邦股份、华虹、中芯国际、思瑞浦、纳芯微、杰华特、芯朋微、新洁能、扬杰科技等

被动元件：顺络电子、三环集团、博迁新材、国瓷材料、硅电容等

PCB：中富电路

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