AI 狂潮席卷存储芯片，Q3 预计涨幅翻倍

2026 年 6 月 29 日，投行杰富瑞（Jefferies）最新研报发出预警，全球存储芯片的涨价狂潮远未画上句号。

DRAM 与 NAND 闪存价格在 2026 年第三季度有望环比激增 40% 至 50%，第四季度继续上扬 30% 至 40%，真正的缓解期可能要推迟到 2028 年。

这一预测显著超出了市场此前的预估。

过去市场普遍预估，第三季度存储价格涨幅大约在 15% 到 20% 之间，第四季度涨幅则低于 30%。

杰富瑞专家电话会后给出的判断，几乎将原本的涨幅预期翻了一倍。

杰富瑞认为，涨价的主因依然是人工智能。

大模型训练、推理过程以及 AI 服务器建设正在大量消耗 HBM、高端 DRAM 和企业级 SSD 的产能，三星、SK 海力士、美光等厂商更倾向于优先保障 AI 服务器客户的高利润订单。

TrendForce 的观点也指向了同一方向。

2026 年 HBM 需求增长主要源于 AI ASIC 产能升级，单颗 AI 芯片搭载的 HBM 容量大幅提升；即便 NVIDIA Rubin 平台单 GPU HBM 容量变化不大，出货量的增加仍将拉动整体需求。

在 NAND 和企业级 SSD 领域，AI 需求同样在挤压供给。

TrendForce 此前指出，生成式 AI 的广泛应用推动了高性能 SSD 需求的显著增长，2026 年将出现明显短缺，有意义的产能扩张可能要到 2027 年底或 2028 年才会到来。

这种供需错配已经体现在价格上。

TrendForce 数据显示，2026 年第一季度传统 DRAM 合约价环比上涨约 93% 至 98%，推动 DRAM 行业收入环比增长 81%，达到 970 亿美元。

进入第二季度，涨价态势依然未消。

TrendForce 预计，2026 年第二季度传统 DRAM 合约价环比上涨 58% 至 63%，NAND Flash 合约价环比上涨 70% 至 75%，这表明涨价压力已从高端 AI 存储蔓延至更广泛的存储市场。

杰富瑞还指出，中国存储厂商在短期内难以成为全球市场的“价格杀手”。

长鑫存储等中国厂商并非市场想象中能拯救局面的“廉价中国存储”，短期内难以撼动全球 DRAM 和 NAND 的供需格局。

美光最新的业绩表现也侧面印证了存储厂商的议价能力正在增强。

美光预计季度营收高于市场预期，并透露已与 16 家战略客户签署了 220 亿美元存储芯片供应协议，相关协议包含多年期安排、预付款、价格下限及 take-or-pay 条款。

美光 CEO Sanjay Mehrotra 还表示，优质存储供应紧张可能至少持续到 2027 年。这与杰富瑞关于“2028 年前难以明显缓解”的判断方向一致，只是杰富瑞对涨价幅度和持续时长给出了更为激进的预测。

对于下游市场而言，压力将持续传导至 PC、手机、服务器及 SSD 产品。

AI 服务器优先消耗先进存储产能后，消费电子产品能获得的内存和闪存供应被压缩，终端厂商可能面临更高成本，部分产品的价格、配置及交付周期都将受到影响。

更重要的是，杰富瑞这份报告揭示了一个行业趋势，存储芯片过去典型的“涨价—扩产—跌价”周期，或许正在被 AI 需求改写。

长期协议锁定产能、厂商控制扩产节奏、AI 客户愿意支付溢价，都将赋予 DRAM 和 NAND 厂商更强的定价权。

云头条声明：如以上内容有误或侵犯到你公司、机构、单位或个人权益，请联系我们说明理由，我们会配合，无条件删除处理。