AI推高内存成本，手机首当其冲
AI数据中心的扩张成本，正通过供应链传导至普通消费者的手机。数据显示，2026年第二季度全球智能手机出货量同比下滑11%，创下2013年以来同期最低纪录，印度市场下降10%，为六年最差表现。压力源头来自内存。数据中心大量采购高带宽内存，导致手机所需的DRAM和NAND同步涨价。两者虽非同一产品，却共享晶圆产能、封装资源与扩产节奏，形成直接竞争。印度是全球第二大智能手机市场，仅次于中国。第二季度出货量同比下滑10%，而中国市场仅下降约2%。差异源于价格结构。印度约60%的手机销量集中在2万卢比以下（约合21
闪迪股价连日重挫的深层逻辑
半导体板块遭遇集体抛售，但产业收益预期2027年将增长两倍周四闪迪(1399.955, -215.04, -13.32%)（纳斯达克(25893.64, -375.59, -1.43%)代码：SNDK）股票连续第二个交易日大幅下挫，究竟是什么因素在背后起作用？台积电(406.5799, -12.90, -3.08%)（纽交所代码：TSM）第二季度财务报告显示业绩超越华尔街分析师预估，净利润同比激增77%，但同时发出警示：本年度资本支出将突破600亿美元，而此前市场共识仅为540亿美元左右。受此影响，这家N
SK海力士拟重启大连二厂项目，目标生产238层NAND闪存
据IT之家7月10日消息，韩媒newstomato报道，行业内部人士透露，SK海力士即将为大连第二工厂引入生产设备，以此为契机启动新生产线的投资与建设工作。 SK海力士打算从今年下半年开始将生产设备搬入，并在明年上半年分阶段完成设施建设。当前，大连第一工厂已经完成了向192层NAND闪存生产线的升级投资，并更换了老旧设备。 报道指出，在SK海力士所有的NAND闪存制造基地中，大连第二工厂被认为是最快能够实现产能扩张的地点。该公司曾在2022年于大连举行开工仪式并正式宣布投资计划，但后来由于NAND闪存市场
长鑫突破DRAM技术：绕开EUV抢占下一代存储高地
快科技7月6日消息，据韩国经济日报报道，长鑫存储近日秘密启动了一条键合DRAM研发线，目标是比韩国企业更早实现下一代存储技术的商用化。 几乎同一时间，苹果正积极推动将长鑫存储纳入DRAM供应链，以对冲AI数据中心预计明年将吞噬全球60%以上存储产能的供应风险。 长鑫存储和长江存储两年前还只能制造低端芯片，每年亏损数千亿韩元，但今年第一季度，长鑫存储的DRAM全球市场份额已飙升至8%，从过去不被统计到跻身全球前列。 报道称，韩国与中国在存储领域的技术差距已从5年以上缩小至3年左右，部分下一代技术领域中国甚至
存储芯片价格狂飙！AI关键领域迎爆发机遇
在人工智能推理系统及超大规模数据中心建设的强劲推动下，此前已经历疯狂涨价的存储芯片，2026年第三季度有望迎来新一轮显著提价。01存储芯片价格持续攀升据中国基金报报道，韩国媒体ZDNet披露，三星正积极推进2026年第三季度存储芯片涨价计划。三星电子正与客户展开强势议价，目标是推动第三季度DRAM平均售价较前一季度最高上调20%。报道透露，今年前两季度，三星DRAM平均售价已实现连续大幅增长，其中第一季度环比涨幅超过90%，第二季度预计涨幅达50%至60%。部分研究机构认为，存储芯片涨价并非仅限三星，而是
瑞银上调存储芯片价格预测 DRAM与NAND涨势或持续至2027年
瑞银(51.04, 1.32, 2.65%)最新行业调研显示，2026年下半年存储芯片价格上行空间进一步扩大。 DDR合约价格预期被上调：2026年第三季度环比上涨32%（此前预期17%），第四季度上涨18%（此前12%），在第二季度已大幅上涨67%的基础上继续走强。 NAND同样上修，预计第三季度环比上涨30%，第四季度上涨12%，延续强周期表现。 分析认为，DRAM行业供需将至少持续紧张至2028年上半年。2027年芯片需求增长约36.2%，明显高于供给增长的19.3%，缺口难以弥合，供需失衡程度达到
铠侠新一代存储芯片样品启运，AI风口助力业绩强劲反弹
受惠于人工智能投资热潮、股价节节攀升的存储芯片企业铠侠，周五在其日本北部晶圆生产基地举行庆典，正式开启新一代存储芯片样品的交付进程。 人工智能行业的蓬勃兴起令铠侠上演华丽转身。该公司此前曾被视为日本半导体制造业萎靡的缩影，然而今年以来其股价飙升逾6倍，市值一举冲破2500亿美元大关，已然凌驾于丰田汽车(174.59, 4.93, 2.91%)之上。 近来业界针对AI相关资本支出能否延续、各芯片巨头扩产所引发的产业效应存在分歧，铠侠股价亦随之剧烈波动。 铠侠坐落于东京以北岩手县北上市的晶圆制造基地，当前正批
SK海力士2029年投产清州NAND新厂
SK海力士计划在忠清南道清州建设一座大型NAND闪存晶圆厂，预计于2029年正式运营。包含该项目在内，SK集团拟在忠清地区总投资170万亿韩元，覆盖先进封装与人工智能数据中心等领域，致力于打造全球AI中心。 “我们将在清州投资80万亿韩元建设新NAND晶圆厂M17，并追加20万亿韩元投资先进封装厂P&T7，”SK海力士CEO郭鲁正周二在忠清南道牙山召开的地区尖端产业发展愿景国家报告会上表示。“结合1GW级AI数据中心，我们在忠清地区的总投资规模将达到170万亿韩元。” M17厂区总面积达15.8万
AI 狂潮席卷存储芯片，Q3 预计涨幅翻倍
2026 年 6 月 29 日，投行杰富瑞（Jefferies）最新研报发出预警，全球存储芯片的涨价狂潮远未画上句号。DRAM 与 NAND 闪存价格在 2026 年第三季度有望环比激增 40% 至 50%，第四季度继续上扬 30% 至 40%，真正的缓解期可能要推迟到 2028 年。这一预测显著超出了市场此前的预估。过去市场普遍预估，第三季度存储价格涨幅大约在 15% 到 20% 之间，第四季度涨幅则低于 30%。杰富瑞专家电话会后给出的判断，几乎将原本的涨幅预期翻了一倍。杰富瑞认为，涨价的主因依然是人
AI重塑存储格局：权力重构与产业洗牌
2023年，存储行业尚在85-900亿美元的低谷徘徊。到2027年，市场规模被推升至8000-8500亿美元，四年增长近九倍。但最颠覆的并非增速，而是底层规则的彻底重构。单台AI服务器的内存需求是传统服务器的8倍。HBM占据DRAM晶圆产能的23%。企业SSD对NAND的依赖从43%飙升至60%以上。Counterpoint、TrendForce与Ben Bajarin截至2026年6月的数据汇聚成同一结论：这不是周期回暖，而是存储产业的权力重组。昔日存储厂商靠出货量讲增长故事，如今则靠定价权决定生死。B
AI 存储周期开篇：解析 AI 对存储的强劲需求
在 AI 基础设施的三大支柱——计算、网络与存储中，存储是决定数据能否高效输送至计算单元，并在推理、检索及长期任务里实现持续保存、调取与复用的关键环节。训练环节依赖高带宽内存，推理环节则对上下文容量和数据调度速度提出更高要求，智能体应用还需兼顾长期状态管理、检索能力、工具调用及文件处理。随着算力不断向生产场景下沉，存储已从配套组件升级为系统性能的关键制约因素。从产业链视角出发，AI 同步带动了 DRAM、HBM、LPDDR、NAND、企业级 SSD 以及高容量 QLC SSD 的需求增长。不同产品对应不同
美光预测存储供需紧平衡将延续至2027年
美光CEO桑杰・梅赫罗特拉美东时间周三盘后在财报电话会上表示，当前DRAM与NAND闪存市场需求持续显著超出供给，"受人工智能全链条需求增长与供应端结构性限制双重影响，我们预计供需紧张态势将延续至2027自然年之后。"
铠侠拟2027年春季在美发行存托凭证
日本存储器芯片制造商铠侠控股打算在2027年春季推出美国存托凭证（ADR），意在抓住人工智能带动全球半导体板块上涨所创造的市场机遇。铠侠财务总监Yoshihiko Kawamura在公司年度股东大会上透露，公司计划在3月底本财年收官后启动赴美上市进程。“我们的目标时间定在新财年开局阶段，大约在4月、5月或6月间，”Kawamura在东京涩谷区某会议中心举办的第八届年度股东大会上称，“这个项目对我们意义重大，因为它搭建了与美国资本市场的直接通道，我们将全力推进以确保顺利完成。”铠侠作为NAND闪存领域的供应
SK海力士拟于清州增设NAND闪存芯片工厂
据韩国《每日经济新闻》援引知情人士消息，SK海力士正在筹划在韩国清州地区兴建一座全新的NAND闪存晶圆制造厂。据悉，该工厂属于一项更大规模区域投资规划的组成部分，相关方案预计将在6月29日总统官邸召开的会议上正式对外发布。报道指出，SK海力士此次规划的核心在于加大对清州现有NAND闪存生产基地的资本投入。该公司旗下M15厂区已于2018年竣工投产。与此同时，其竞争对手三星电子当前则在天安及温阳两地的封装测试工厂进行HBM等高阶芯片的制造。 责任编辑：王永生 新浪财经声明：此消息系转载自合作媒体，新浪财经登
兆易创新午盘飙升逾10% 刷新历史高位
兆易创新（03986）在午前交易中大幅上扬，涨幅超过10%，盘中一度触及1037港元的高点，股价再度刷新历史纪录。截至发稿时，股价上涨10.22%，报1035港元，成交额达19.40亿港元。 今年3月有媒体消息称，铠侠正系统性地缩减其传统NAND产品线，预计2026年9月为最终订单截止日。同时，美光科技的产能配置开始向高价值3DNAND产品倾斜。汇丰前海证券分析指出，主要供应商的退出推动了价格上行，并将在未来2-3年内为兆易创新等企业释放约25%的全球市场空间。 此外，长鑫科技的科创板IPO进程加快，该机