2026年中观：AI浪潮下国产存储双雄迎来涨价红利期

新华社北京7月9日电《经济参考报》7月9日发表文章《2026年中观：AI浪潮下国产存储双雄迎来涨价红利期》。文中指出，今年上半年，受AI算力激增推动，全球存储业步入十五年难遇的繁荣期。长鑫科技扭亏为盈，日赚3亿元；长江存储估值达1600亿元冲刺上市... 国内两大龙头借势业绩与市值飙升，国产存储产业集群加速构建，勾勒出产业崛起图景。

供需失衡加剧 涨价趋势或延续

依据集邦咨询报告，2026年上半年全球存储芯片处于罕见繁荣期，DRAM与NAND合约价连续两季飙升并传导至消费端。监测数据表明，16GB DDR5内存及1TB固态硬盘终端价格较2025年同期涨幅均超130%，供需紧张贯穿上半年。此次涨价非简单周期反弹，而是AI算力主导的结构性变革。全球大模型需求激增，AI服务器内存需求为传统服务器10倍以上，机构预测2026年AI相关DRAM需求占比将超53%。供给端，海外巨头优先供应高附加值AI存储，压缩通用产能。高盛等机构研判，供需紧张格局至少延续至2027年下半年。

放眼全局，存储芯片已演变为算力基础设施的核心稀缺资源，行业周期逻辑被AI长期需求重塑。这意味着本轮景气由消费电子驱动的短期波动，转变为结构性紧平衡。这对国产厂商而言，既是历史机遇，也是对其产能、技术及供应链管理的考验。

业绩触底反弹 资本化步伐加快

受行业周期催化，国产存储双雄迎来业绩与资本化的双重拐点。

作为国内唯一规模化量产DRAM的IDM企业，长鑫科技业绩实现跨越式反转。根据更新后的IPO招股书预告，上半年营收预计1100至1200亿元，归母净利润500至570亿元，同比增幅最高达2544%。按中位数计算，日均盈利近3亿元，创国内晶圆制造企业半年度盈利纪录。

长鑫科技产品结构优化，DDR5、LPDDR5X高端产品占比提升，叠加国产AI终端订单落地，支撑营收利润放量。一季度长鑫DRAM全球市场份额达7.7%-8%，稳居中国大陆第一、全球第四大原厂，打破海外垄断。

在DRAM赛道突围的同时，3D NAND龙头长江存储加速资本化。5月19日，证监会公示其完成IPO辅导备案。作为国内唯一具备3D NAND全流程量产能力的IDM企业，其子公司2025年以1600亿估值入选《胡润全球独角兽榜》，位列全球第21、中国十大独角兽，成为国内半导体估值最高的头部科创企业。

值得注意的是，国产双雄的崛起是行业红利与国产化逻辑共振的结果。国内云厂商及AI企业加速导入本土供应链，国产产能优先保障区域订单，出货量持续增长。

双雄相继上市，标志着国产存储告别长期研发烧钱阶段，迈入自我造血的良性循环。登陆资本市场将助力企业募资扩产，为技术攻关与产能爬坡提供资金保障。

龙头带动集群 产业生态实现跃迁

国产双雄的突围不仅是企业个案，更是中国半导体从单点突破向全域生态构建的缩影。依托龙头牵引，合肥、武汉两大产业集群错位协同，打造全球竞争力高地。

长鑫科技扎根合肥，依托长三角配套，以17nm工艺为基，稳健向高端产品迭代，夯实基本盘。长江存储作为武汉光谷链主，聚焦存算一体、先进封装，建设世界级基地。

龙头带动下，光电子与存储创新成果频现：国家信息光电子创新中心研制250GHz光子集成芯片，芯动科技推出全球首款120通道PCIe Gen5交换芯片，光谷实验室研发360TB超大容量玻璃硬盘等“全球首创”成果，印证我国产业正加速向领跑阶段跨越。

同济大学国家创新发展研究院研究员宫超指出，本轮周期由AI算力刚性需求与供应链自主可控驱动，为国产厂商及配套链带来历史性窗口。相关要素具备长期性，高景气有望持续。

专家提示，国产存储仍面临挑战：技术层面HBM等高端市场仍由海外垄断，国内存在壁垒；市场层面恐有海外巨头扩产价格战挤压；产业层面全链条运营能力待提升；人才层面高端研发人才短缺。业内人士认为，把握机遇，补齐短板，深化协同，是国产存储跻身全球第一梯队的关键。