SK海力士与闪迪联合制定HBF标准，AI存储市场迎新变局

8月4日北京时间，闪迪（SNDK.O）与SK海力士（000660.KS）联合宣布，双方借助OCP（开放计算项目）正式发布了全球首套HBF（高带宽闪存）标准规范。

闪迪和SK海力士均为全球前五大NAND闪存制造商。今年2月，两家企业启动合作，共同推进HBF标准化进程，此次规范的发布标志着相关工作取得阶段性突破。

HBF作为继HBM（高带宽内存）之后备受瞩目的AI计算专用存储方案，已引发行业普遍关注。该技术有望重塑现有产业竞争态势，部分分析师甚至预测其市场体量有望超越HBM。

HBM之后的存储“新势力”

HBF是一种定位于固态硬盘与HBM之间的新型存储层级，作为HBM的补充方案存在。HBM虽具备卓越带宽性能，但成本高昂且容量受限；固态硬盘容量充足，却读写速度不足。HBF恰好填补这一空白，可承担容量扩展任务并控制整体存储开支，被视为AI推理场景的理想选择。

在存储厂商竞逐HBM市场的同时，HBF作为一种新兴存储形态，近期关注度持续攀升。尽管HBM属于DRAM（动态随机存取存储器），HBF则属于NAND闪存，二者存储介质不同，但HBF同样借鉴了HBM的垂直堆叠工艺以提升容量与带宽，且两者均面向AI计算需求，被认为可与计算芯片实现协同封装。

闪迪此前透露，HBF可与HBM带宽紧密匹配，在相近成本条件下提供HBM 8至16倍的容量。HBF在物理尺寸、功耗及堆叠高度上与HBM4（第六代高带宽内存方案）相当，但每16层堆叠即可实现高达512GB的存储容量。

享有“HBM之父”声誉的韩国科学技术院教授金正浩（Kim Joungho）对HBF寄予厚望。

今年初，金正浩指出，HBM是承担即时计算任务的“热存储”，HBF则是处理海量历史数据的“冷存储”。HBM决定运算速度，HBF决定存储容量。他将HBM比作书架，将HBF比作图书馆，在图书馆中，人们可从书架上迅速取阅书籍。金正浩认为，AI性能的角逐此前由GPU主导，但未来存储器的作用将日益凸显。面对需求的急剧攀升，HBM难以独立应对，行业必然转向采用HBF。

关于发展前景，SK海力士在新闻稿中表示，行业预测包括HBF在内的复合存储方案将在2030年前后进入快速增长阶段。金正浩则预测，HBF将在2027年底至2028年实现商业化，初期主要用于推理场景，HBM与HBF融合的混合存储或将成为未来主流配置，到2038年，HBF的市场需求将超越HBM。

美银预测显示，HBM市场规模将从2025年的346亿美元增至2026年的546亿美元，并在2030年达到2460亿美元。若按金正浩的预测推算，未来HBF市场规模有望达到千亿美元量级。

美股8月3日，闪迪收盘上涨6.03%，盘后继续上涨3.2%。韩股SK海力士当日盘中跌幅一度超过3%。

启动新一轮角逐

HBF的出现或将重塑存储行业竞争版图。

此前，HBM市场主要由SK海力士、三星电子、美光三大DRAM厂商主导。而HBF所处的NAND闪存领域竞争格局更为分散，参与者众多，除SK海力士、三星电子和美光外，还涵盖闪迪、西部数据、铠侠、长江存储等企业。这意味着HBF领域的玩家阵容或将更加多元。

部分NAND闪存厂商已着手布局HBF。除参与标准制定外，闪迪还制定了生产规划。闪迪采用CBA技术（一种CMOS直接键合阵列），计划于今年年底向客户交付首批HBF样品，并于2027年初推出首批集成HBF的AI推理设备样机。

SK海力士则于今年早些时候发布了名为“H3”的架构方案，该方案将HBM与HBF整合至统一设计中，并列部署于GPU旁，其能效比优于纯HBM方案。

据消息透露，SK海力士与三星电子对HBF的策略存在差异：SK海力士正探索HBF与HBM协同方案以突破AI推理系统的容量瓶颈；三星电子则致力于围绕AI推理重构存储生态，将HBF定位为比HBM更具性价比的方案。此前有市场传闻称长江存储亦计划开发HBF技术，但该公司尚未公开披露相关细节。

长江存储在3D堆叠领域已积累深厚技术储备。混合键合工艺被认为有望应用于HBF制造，而长江存储凭借晶栈Xtacking技术生产3D NAND闪存，在混合键合领域起步较早。

除闪迪外，更多HBF产品有望于明年问世。TrendForce集邦咨询研究经理敖国锋向记者表示，HBF可在AI推理环节部分替代内存和HBM的功能，将长文本的Token（词元）存放至固态硬盘，以优化成本，推动更多AI推理服务落地。英伟达和谷歌正与三星、铠侠就类似产品线（XL Flash、Z NAND）展开合作，预计相关产品将于明年初发布。

不过，敖国锋指出，HBF产品线的技术门槛较高，目前仅闪迪和SK海力士具备支持量产的技术能力。HBF产品线的不足在于生产周期较长，达9个月。此外，生产空间约为常规产线的3倍，因此必须优化传输效率并延长产线使用寿命。

(本文来自第一财经)