存储逻辑芯片迭代 CMP产业迎来发展新机遇

专题：市场风险偏好回暖 投资者应留意两条核心脉络

◎记者 孙忠

伴随半年报披露，以鼎龙股份(81.240, -0.06, -0.07%)为代表的国内CMP（化学机械抛光）企业业绩备受瞩目。长鑫科技(59.850, -1.95, -3.16%)的成功上市，极大地增强了存储芯片技术转型的信心。作为半导体制造的关键环节，CMP正处于发展的新机遇期。

据上海证券报记者调研，晶圆制造向高密度及三维化发展，促使抛光工序及耗材更换频率显著增加，CMP材料的弹性需求被充分激发。在国产供应链需求上升与国产化替代的双重推动下，该关键工艺正迎来难得的发展契机。

细分市场的广阔前景

CMP作为集成电路制造的核心工艺，利用抛光液的化学特性结合抛光垫与磨粒的机械摩擦，达成晶圆表面的平坦化处理。

亚化咨询夏磊指出，随着先进制程和先进封装的发展，CMP已不再是辅助工艺，而是与光刻、刻蚀、薄膜沉积并驾齐驱的第四大核心工艺。在制程微缩和三维架构演进的趋势下，CMP对晶圆平坦度和良率的影响至关重要。

“不同工艺节点对CMP抛光步骤的要求各异，单晶圆生产可能涉及数次甚至数十次抛光操作。”夏磊补充道，CMP工艺广泛应用于硅片、晶圆制造及先进封装等多个领域。

据悉，CMP主要依赖抛光液和抛光垫。其中，抛光液是决定加工质量与去除效率的关键介质，抛光垫则负责物理支撑与应力传递。抛光液种类丰富，在抛光材料中价值占比超50%，其消耗量随晶圆产量及抛光步骤增多而提升。

国际机构TECHCET数据显示，2025年全球半导体CMP抛光材料（抛光液占比约60%）规模达38亿美元，2026年预计增至42亿美元。受AI需求拉动及先进工艺带来的步骤增加影响，TECHCET预测2025-2030年复合年增长率将达8.8%。

芯片制程升级带动CMP需求

调研显示，CMP在GPU、CPU等逻辑芯片及存储芯片制造中应用广泛，且随着工艺升级，其使用频率不断攀升。

“先进制程的深入正在迅速扩大CMP市场空间。”夏磊分析，制程微缩导致多层金属互联密度增加，使得CMP工序次数激增。从180nm的约10次增至14nm的20次以上，再到7nm及以下节点的30次以上，同时伴随对钴、钌等新材料抛光需求的增加。

此外，存储芯片技术路线的转型也带来了显著的业务增量。业内专家认为，长鑫科技的上市将推动国内存储市场发展，CMP行业亦将受益。

“CMP行业成功抓住了AI技术浪潮。”某上市公司负责人指出，AI技术发展极大提升了存储需求，特别是HBM和高带宽存储器。HBM采用多层垂直堆叠架构，其CMP工序远超普通DRAM，耗材消耗呈非线性增长。

随着晶圆超薄化趋势，CMP材料应用范围也在拓宽。浙江博来纳润电子张泽芳认为，超薄晶圆在减薄封装、缩短TSV、降低电阻和改善散热方面优势明显。

上海新安纳研发总监汪为磊指出，基底平面化、结构三维化、键合精密化及量产系统化均离不开CMP。AI与三维集成趋势正推动CMP抛光液进入“材料复杂度与产能规模双增”的阶段。

国产化进程加快 磨粒技术瓶颈待解

在产业链韧性备受重视的背景下，CMP的本土化进程正在加速。

国内市场方面，安集科技(263.750, 1.83, 0.70%)作为抛光液龙头，全球市占率13%，已成为主流供应商；鼎龙股份专注于抛光垫与抛光液协同，上海新阳(101.300, -0.16, -0.16%)（维权）、江丰电子(271.780, 1.96, 0.73%)等企业紧随其后。

“受本土化带动，国内CMP市场呈现‘一超多强’格局。随着市场扩容和品类更新，科技型公司仍有发展空间。”某初创企业负责人表示。

然而，业内也指出本土产业链的技术短板，特别是抛光液核心原料——磨粒，仍严重依赖进口。

夏磊指出，CMP材料技术壁垒高，受限于起步晚，核心专利被海外垄断。配方复杂、研发周期长、工艺要求严苛。此外，高纯度磨粒长期依赖进口，供应链上游受制于人。

“目前国产抛光液技术已达国际先进水平，但部分高端产品仍需外购高纯磨粒。”某上市公司负责人表示。

磨粒是抛光液核心原料，主要含氧化铈、二氧化硅和氧化铝。研究人士称，28nm等成熟制程磨粒可国产替代，但更先进制程下供应困难，影响金属杂质控制。

目前，安集科技与鼎龙股份正布局磨粒领域。安集科技表示，自产氧化铈磨料测试顺利，多款产品已通过验证并量产。

新浪财经声明：本文转载自合作媒体，旨在传递更多信息，内容仅供参考，不构成投资建议。

郑重声明：1.严禁编造、传播虚假或误导性信息以扰乱市场；2.用户言论仅代表个人观点，与网站无关，不构成投资建议。请用户独立判断并承担风险。