三星研发新一代 HBM 技术，赋能高性能端侧 AI 手机

IT 之家 5 月 15 日讯，根据韩国媒体 Etnews 上周（5 月 12 日）披露的消息，三星电子正致力于开发下一代 HBM 技术，旨在为移动设备带来更强劲的端侧 AI 算力支持。

业界专家指出，三星正在攻关多层堆叠 FOWLP（Multi Stacked FOWLP）工艺，力求在智能手机和平板电脑等便携终端上实现更大容量与更高带宽的 HBM 应用。鉴于移动设备的内部空间远小于服务器机柜，且对能耗和散热的控制极为严苛，因此无法直接沿用现有的服务器方案。

当前，主流的 LPDDR 内存多采用引线键合（Wire Bonding）工艺，该方案存在接口数量有限、信号衰减明显及散热效能不足等短板，难以与 HBM 技术融合。为此，三星计划引入改良版 VCS 方案，将芯片内部铜柱的纵横比从 3:1~5:1 大幅提升至 15:1~20:1，从而在有限的面积内容纳更多铜线，有效拓宽数据传输带宽。

然而，一旦铜柱直径缩小至 10 微米以下，便极易发生弯曲或断裂等不稳定状况。针对这一难题，三星决定采用 FOWLP 技术进行加固：先对芯片实施模塑处理（IT 之家注：Molding），随后将布线向外围延伸，此举既能扩展线路，又能起到支撑铜柱、防止形变的功效。

若该方案能顺利通过验证，理论带宽预计可提升 15% 至 30%，同时还能在同等空间内集成更多的 I/O 接口。

尽管该技术目前仍处于研发阶段，但行业普遍预测，三星最快有望在 Exynos 2800 的后期版本或 Exynos 2900 芯片中落地此项技术。