三星电子成功研制900层3D NAND闪存原型

据韩媒报道，三星电子采用单元多层键合技术，将两片450层3D NAND芯片进行连接，打造出全球首块900层超高堆叠3D NAND闪存样品，其存储性能已获验证。

通过将两片450层NAND“高塔”合并成一片900层的NAND堆叠结构，这种工艺对键合稳定性要求极高。

在原型产品制造过程中，三星电子通过“上部卡盘”技术解决了晶圆翘曲问题，同时采用新型套刻校准技术克服了微小对准误差，另外还优化了位线和字线，从而优化了功耗和尺寸。