三星电子成功研制900层3D NAND闪存原型
据韩媒报道，三星电子采用单元多层键合技术，将两片450层3D NAND芯片进行连接，打造出全球首块900层超高堆叠3D NAND闪存样品，其存储性能已获验证。 通过将两片450层NAND“高塔”合并成一片900层的NAND堆叠结构，这种工艺对键合稳定性要求极高。 在原型产品制造过程中，三星电子通过“上部卡盘”技术解决了晶圆翘曲问题，同时采用新型套刻校准技术克服了微小对准误差，另外还优化了位线和字线，从而优化了功耗和尺寸。
AI重塑存储：趋势走向、挑战应对与SSD技术迭代 | SNIA-SDC StorageAI 2026(Kioxia)
此页重点揭示AI训练数据点呈指数级上升的态势。1950至2010年间，AI系统训练数据点的年增长率为1.3倍，而2010至2025年这一速率跃升至2.5倍/年；数据规模从1950年Perception Mark I的100个数据点，一路攀升至TD-Gammon的百万级、AlexNet的万级、2017年Transformer的1亿级、GPT-1的10亿级，最终GPT-4突破1万亿个训练数据点，生动展现了AI训练数据规模的极速膨胀。该页面展示了2025至2031年数据中心NAND闪存比特需求在不同工作负载下的