美光HBM4产能扩张提速，HBM4E量产预计明年启动

IT之家 5 月 25 日消息，据韩媒 The Elec 今日报道，美光科技第六代高带宽内存 HBM4 目前正在顺利扩大产能，同时还计划于明年启动下一代 HBM4E 标准产品量产。

当地时间 5 月 20 日，美光科技全球运营执行副总裁马尼什 · 巴蒂亚在摩根大通投资者会议上表示，美光 HBM4 的量产爬坡速度已经超过去年 12 层 HBM3E 产品的约两倍，良率提升也更为迅速。据IT之家了解，HBM4 主要面向英伟达 Vera Rubin AI 计算平台。

美光透露，HBM4 量产加速主要源于三方面因素。其一，前期量产 HBM3 与 12 层 HBM3E 过程中积累的丰富经验与学习曲线效应。其二，HBM4 核心裸片采用了美光 10 纳米级第五代 1-beta（1β）工艺。

美光透露，1β 工艺目前已是公司主力制程，并在性能和良率方面展现了卓越的稳定性。其三，美光内部对基础裸片设计进行了优化。美光指出，1β DRAM 配合自主制造的基础裸片后，能够进一步提升产品质量与性能表现。

然而，从下一代 HBM4E 开始，美光将调整部分生产策略。HBM4E 核心裸片将改用 10 纳米级第六代 1-gamma（1γ）工艺制造。该工艺对标三星电子和 SK 海力士的第六代 10 纳米级 1c 工艺，同时也是美光首次应用 ASML 极紫外光刻设备的工艺节点。

此外，HBM4E 的基础裸片未来将不再由美光自行生产，转而交由台积电代工。巴蒂亚表示，目前 HBM4E 开发进展顺利，美光预计明年启动量产。首批产品将遵循 JEDEC 标准，同时美光也在开发针对客户需求定制的版本。尽管定制产品成本高于标准版，但美光认为，凭借更高性能和更多功能特性，市场需求仍将十分旺盛。

三星电子和 SK 海力士目前也在积极推进 HBM4E 开发。三星电子计划于今年第二季度提供首批 HBM4E 样品，基础裸片将由三星晶圆代工部门采用与 HBM4 相同的 4 纳米工艺制造。

SK 海力士则计划于今年下半年向客户提供 HBM4E 样品，并在明年开始量产。SK 海力士未来仍将由台积电负责基础裸片生产，据悉将采用 3 纳米工艺。

美光同时预计，到今年年中，基于 1γ 工艺生产的 DRAM 以及第九代 NAND 闪存产品，将占公司总位元出货量的一半以上。其中，1γ DRAM 预计还将成为美光晶圆产量规模最大的单一 DRAM 工艺节点。