长鑫存储 HBM3 技术比肩韩企，中韩差距缩短至三年

快科技 6 月 4 日讯，援引韩媒报道显示，中国存储芯片巨头长鑫存储在 HBM3 技术领域已实现与三星及 SK 海力士的对标，中韩双方在 HBM 赛道上的代际落差已由昔日的多代领先收窄为区区三年。

据业内知情人士披露，长鑫存储目前已掌握 HBM3 的量产工艺，尽管良品率尚待提升，但在核心技术层级上已抹平了代差。

作为当前 AI GPU 主流配置的第三代高带宽内存，HBM3 被广泛应用于 NVIDIA H100 等旗舰产品；为适配美国出口管制政策，NVIDIA 面向中国市场定制的 H20 GPU 甚至搭载了 96GB HBM3，容量反超 H100 的 80GB。

报道指出，长鑫存储规划至 2026 年末建成月产 30 万片 12 英寸晶圆的 HBM 产能基地；同期，该公司已获 IPO 批复，拟募集资金 295 亿元以推动技术革新等战略。

然而，三星与 SK 海力士依旧占据先发优势，现今最新一代 AI 芯片已导入 HBM3e 标准，且各大厂商将于今年底启动 HBM4 的订单签署。

HBM4 标志着显著的代际飞跃，其数据吞吐量较 HBM3 几近翻倍；除此之外，AI GPU 的制造还倚重台积电先进封装等繁复工艺，这些环节国内产业同样遭遇瓶颈制约。

另外，全球内存供应紧缺为本土厂商带来了战略机遇期，AI 芯片对 HBM 的强劲需求致使三星和 SK 海力士产能告罄，长鑫存储借势夺取市场份额，在缺货浪潮中加速技术迭代与产能释放。

责任编辑：黑白