SK 海力士雄心勃勃：2031 年 DRAM 月产能欲破百万大关

IT 之家 6 月 5 日讯，韩国媒体 The Elec 今日下午引述内部消息指出，SK 海力士已向核心供应商通报了其最新的扩张蓝图，旨在 2030 至 2031 年间，将 DRAM 晶圆的投片规模提升至当前水平的两倍左右。

该扩产战略在 2026 台北国际电脑展前夕便已确立。展会期间，英伟达掌门人黄仁勋在 SK 海力士的 DRAM 晶圆上题字“请多生产”，这一举动侧面印证了 AI 存储市场需求的急剧攀升。

多位业界知情人士透露，近两个月来，SK 海力士的采购部门及龙仁半导体集群负责人，已相继向主要合作伙伴阐述了截至 2030 年的晶圆产能扩充方案。

根据规划，SK 海力士期望在 2030 年将 DRAM 晶圆的月度投片量从目前的约 55 万片跃升至 100 万片。现有产能中，无锡工厂贡献了约 20 万片的月产量，而新增产能将主要依托于龙仁半导体集群的建设。

SK 海力士拟将龙仁首座晶圆厂划分为六个无尘室，并计划于 2027 年 2 月启动首个无尘室的设备进驻。待首期设备安装完毕，龙仁基地将新增 6 万片月产能；随后，公司计划每六个月启用一个新的无尘室，每次额外增加 6 万片月产能。若依此时间表推进，仅龙仁第一座晶圆厂在 2030 年上半年即可贡献 36 万片的 DRAM 月新增产能。

此外，清州 M15X 晶圆厂也在进行扩建。M15X 预定于今年下半年投产，初始月产能为 4 万片，预计明年增至约 8 万片。倘若龙仁新增的 36 万片产能能按时释放，SK 海力士的 DRAM 晶圆月总投片量在 2030 至 2031 年有望触及 100 万片。

在 NAND 闪存领域，SK 海力士被认为将重心放在技术迭代上，例如提升堆叠层数。一位半导体设备行业专家评论道：“这可以理解为，SK 海力士正在敦促供应商为迅速且大规模的扩产做好充分准备。”

据 IT 之家获悉，此项计划也与 SK 集团董事长崔泰源近期的言论相契合：即在五年内全力将整体晶圆产能翻番。

然而，供应商们对于这份激进的路线图能否如期兑现仍持谨慎态度。2022 年，SK 海力士曾向供应商提供过次年的资本支出指引，却在同年秋季大幅削减设备订单。部分供应商曾按指引采购零部件，随后遭遇了显著的现金流压力。业内分析也指出，一旦任一类别的设备交付出现延误，每六个月填充一个无尘室的节奏便可能被打乱。

一位供应商代表表示：“短期内，投资增长已十分明确，这对设备和材料供应商而言是重大利好。但整套路线图最终能否落地，仍取决于市场需求是否能够提供足够支撑。”