华尔街热捧AI存储芯片ETF

AI 存储芯片赛道涌现出新的投资机会，华尔街资金亦迅速跟进。

朗希尔存储 ETF（代码 DRAM）上市刚过一个月，便已成为资金抢筹该领域的热门工具。数据显示，该基金上市仅 24 天，收益率逼近 70%，期间更有多达 14 个交易日刷新盘中纪录。

业内普遍认为，该产品的问世，堪比近年 ETF 市场中最火爆的几款产品。

彭博分析师埃里克・巴尔丘纳斯将 DRAM 比作主题类 ETF 中的 IBIT，即贝莱德现货比特币 ETF，暗示这只小众产品一上市便引爆市场，成为现象级存在。DRAM 于 4 月初上市，目前管理规模约 33 亿美元。

DRAM 的走红并非直接引爆了存储芯片行情，它只是为早已一路高歌猛进的板块提供了一个标准化的投资工具。

彭博全球存储芯片指数自 2025 年起累计攀升近 680%。在 AI 时代的这波大涨面前，过去二十年存储行业的周期性波动显得微乎其微。尽管存储股历来波动剧烈，但这轮上涨已使其跃升为 AI 产业链中增长最快的板块之一。

DRAM 并非泛指的半导体指数基金，其持仓全部锁定在存储芯片产业链上，重仓股包括美光、SK 海力士、三星电子、闪迪、希捷科技、西部数据。值得注意的是，三星电子近期也刚迈入万亿市值俱乐部。

该基金的核心特征在于持仓高度集中：美光、SK 海力士、三星三大巨头合计占比近 70%，前七大重仓股合计占比约 90%。

这在一定程度上便利了美国投资者的操作，但也伴随着风险。三星和 SK 海力士虽是核心标的，但缺乏便捷的 ADR 供散户直接购买。SK 海力士虽已提交美股上市申请，但 DRAM 重仓海外标的，也令投资者面临流动性、汇率及交易时间错配的额外挑战。

对于芯片投资者来说，当下的核心选择在于持仓集中度的偏好。DRAM 是纯粹的存储芯片组合，能最直接地布局该赛道，但若行情反转，其容错空间相对较小。

美光是美股中纯正的存储芯片龙头；闪迪、西部数据、希捷科技则侧重于硬盘业务；相比之下，SMH、SOXX 等宽基半导体 ETF 虽分散度更高，但对存储赛道的直接投资比例较低。

该 ETF 上市时间较短，暂无法套用常规技术分析，甚至连 20 日均线都未形成，目前投资者应主要关注其上市后的上涨趋势线。

责任编辑：郭明煜

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