长鑫突破DRAM技术：绕开EUV抢占下一代存储高地

快科技7月6日消息，据韩国经济日报报道，长鑫存储近日秘密启动了一条键合DRAM研发线，目标是比韩国企业更早实现下一代存储技术的商用化。 几乎同一时间，苹果正积极推动将长鑫存储纳入DRAM供应链，以对冲AI数据中心预计明年将吞噬全球60%以上存储产能的供应风险。 长鑫存储和长江存储两年前还只能制造低端芯片，每年亏损数千亿韩元，但今年第一季度，长鑫存储的DRAM全球市场份额已飙升至8%，从过去不被统计到跻身全球前列。 报道称，韩国与中国在存储领域的技术差距已从5年以上缩小至3年左右，部分下一代技术领域中国甚至