存储芯片价格狂飙！AI关键领域迎爆发机遇

在人工智能推理系统及超大规模数据中心建设的强劲推动下，此前已经历疯狂涨价的存储芯片，2026年第三季度有望迎来新一轮显著提价。

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存储芯片价格持续攀升

据中国基金报报道，韩国媒体ZDNet披露，三星正积极推进2026年第三季度存储芯片涨价计划。三星电子正与客户展开强势议价，目标是推动第三季度DRAM平均售价较前一季度最高上调20%。

报道透露，今年前两季度，三星DRAM平均售价已实现连续大幅增长，其中第一季度环比涨幅超过90%，第二季度预计涨幅达50%至60%。

部分研究机构认为，存储芯片涨价并非仅限三星，而是呈现全行业趋势。全球知名产业研究机构集邦咨询（TrendForce）最新报告预测，2026年第三季度，传统DRAM产品合约价格将环比上涨13%至18%，NAND闪存合约价格将环比上涨10%至15%。

报告指出，人工智能推理系统与超大规模数据中心的旺盛需求，足以使DRAM和NAND供应持续保持紧张格局。与此同时，存储厂商继续将产能向利润更高的服务器产品倾斜。这导致可分配至消费类存储的产能减少，即便个人电脑和智能手机需求走软，价格也难以回落。

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部分品种年内涨幅接近7倍

从部分国际DRAM合约价格走势来看，2025年以来确实涨幅惊人。东方财富Choice数据显示，2026年5月，DDR5 16Gb 2Gx8国际DRAM合约平均报价37.5美元，较2025年5月的4.8美元大幅攀升681.27%。

DDR5 16GB U/SO-DIMM在2026年5月的平均报价为205美元，较2025年5月的44美元上涨365.91%。而DDR5 8GB U/SO-DIMM近一年的平均合约报价涨幅达357.14%。

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三大巨头齐宣布扩产计划

在行业高景气度背景下，当前存储芯片产业正掀起一股扩产热潮。据财联社报道，当地时间周六（7月4日），美光科技正式启动其位于日本西部广岛工厂的扩建工程。该项目总投资达1.5万亿日元（约合93亿美元），旨在生产包括高带宽存储器（HBM）在内的先进存储芯片，以满足人工智能浪潮带来的强劲需求。

近日，全球最大存储芯片制造商三星电子宣布计划在韩国西南城市光州建设两座存储芯片制造工厂，第二大存储芯片制造商SK海力士则表示将在韩国全罗道周边地区建设两座晶圆厂，两家企业合计投资规模达800万亿韩元（约合5223亿美元）。

三星电子和SK海力士的投资属于韩国政府“三大超级工程”倡议的组成部分，该倡议以半导体、实体人工智能及人工智能数据中心为驱动实现产业转型，总投资规模达4755万亿韩元。

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中报业绩预告表现亮眼

在行业高景气度支撑下，产业链企业业绩也迎来爆发期。例如最新披露2026年中报业绩预告的存储龙头江波龙，预计上半年实现归母净利润92亿元至110亿元，同比增长622.04%至743.94%。

东方财富Choice数据显示，目前已有5只存储芯片概念股披露2026年中报业绩预告，业绩均实现正增长或扭亏为盈。以另一龙头长川科技为例，上半年预计实现归母净利润9亿元至10亿元，同比增长110.76%至134.18%。

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供需缺口或将延续

市场分析认为，这一轮由人工智能核心驱动的存储供需缺口，短期内恐难消除。高盛年初发布的存储行业报告显示，当前全球存储市场供需失衡程度已达近15年来的峰值，预计2026年全球DRAM整体供应缺口达4.9%，NAND缺口达4.2%，呈现典型供不应求格局。

瑞银分析指出，DRAM行业供需紧张态势预计将至少持续至2028年上半年。2027年芯片需求预计增长约36.2%，显著高于供给增长的19.3%，缺口难以弥合，供需失衡程度达到过去30年罕见水平。若不考虑下游库存回补因素，供应短缺比率将从2026年的8.1%恶化至2027年的13.6%。

值得注意的是，尽管当前市场对存储前景普遍乐观，但在人工智能行情极致演绎的背景下，部分事件仍值得投资者警惕：

一是韩国存储巨头宣布的天量扩产计划，可能引发市场对未来产能过剩的深度担忧；二是Meta宣布对外出租闲置算力以及黑石集团以35亿美元出售弗吉尼亚州三处数据中心资产，被部分市场解读为算力过剩的危险信号；三是价格上涨正逐步传导至消费端（如个人电脑和手机涨价），消费者可能不愿继续为持续攀升的价格买单。

野村证券表示，近期投资者对供应过剩的担忧情有可原，但明显过度，市场的过激反应或为存储板块提供重新审视估值的窗口。

仅供参考，不构成投资建议