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SK海力士拟重启大连二厂项目,目标生产238层NAND闪存

发布时间:2026-07-11 09:28阅读:2

据IT之家7月10日消息,韩媒newstomato报道,行业内部人士透露,SK海力士即将为大连第二工厂引入生产设备,以此为契机启动新生产线的投资与建设工作。

SK海力士打算从今年下半年开始将生产设备搬入,并在明年上半年分阶段完成设施建设。当前,大连第一工厂已经完成了向192层NAND闪存生产线的升级投资,并更换了老旧设备。

报道指出,在SK海力士所有的NAND闪存制造基地中,大连第二工厂被认为是最快能够实现产能扩张的地点。该公司曾在2022年于大连举行开工仪式并正式宣布投资计划,但后来由于NAND闪存市场不景气,该投资计划实际上被搁置了。

据悉,一些韩国本土供应商已经开始将闲置的NAND闪存设备运往大连,同时海外设备制造商也收到了初步的设备采购订单。

SK海力士方面向该媒体表示:“随着AI数据中心的普及,像DRAM一样,NAND闪存的需求也在快速增长。受此影响,大连第二工厂重启的可能性在增加,不过具体的时间表尚未最终确定。”

在公司内部,SK海力士正在积极为全面投资做准备。去年,SK海力士向大连NAND闪存工厂额外注资4406亿韩元(IT之家注:现汇率约合19.92亿元人民币)。这一金额较上一年度(2899亿韩元)大幅增长了52%。

另据韩国媒体Sisa Journal报道,大连第二工厂将在今年下半年新增一条V8生产线(238层NAND闪存),月产能目标为3万至5万片晶圆。