标签

AI重塑存储产业:步入黄金时代,告别周期波动

发布时间:2026-04-02 15:41来源:微信阅读:5

“在过去半年间,所有人正经历着前所未有的情况。”

从2025年第四季度到2026年第一季度,短短六个月的时间内,无论是DRAM还是NAND都经历了缺货、涨价、抢产能的热潮,64GB DDR5 RDIMM合约价格飙升超过两倍,现货价格更是从200多美元涨至2500美元以上。

在过去几十年中,存储半导体一直被视为典型的周期性行业,随着PC、手机、数据中心的发展而起伏,但现在这一切正在被改变。正如邰炜先生在MemoryS2026峰会上所说,“人工智能不仅仅是一个趋势,它更是一场底层革命。” 我们正处于一场由AI引发的全球性存储短缺和价格重估之中。

在MemoryS2026峰会上,CFM闪存市场总经理邰炜发表了题为《穿越周期・释放价值》的主题演讲,深入探讨了AI时代存储产业的新变化。CFM预测2026年全球存储市场规模将达到6000亿美元,标志着行业告别旧周期,迈入黄金发展时代。

AI驱动存储需求激增,存储成为算力支柱

人工智能的迅猛发展改变了数据生成的方式,存储不再只是被动的数据仓库,而是支持大规模模型训练和推理的关键基础设施,促使存储半导体从周期性波动产品转变为数据经济的核心生产力。

需求方面,AI已经成为存储产能的主要消费者。CFM预计2026年全球服务器出货量中AI服务器占比将达到20%,服务器DRAM应用比例超过50%,AI推理更是推动eSSD成为2026年NAND的最大应用领域。KV Cache作为推理加速的关键技术,随着大模型多模态和长上下文的发展,其占用空间随token数量和并发量线性增长,直接推动企业级SSD需求的增长。

服务器市场成为存储需求的核心增长点,新一代硬件平台不断推动高端存储需求升级。2026年英特尔Granite Rapids、AMD Turin平台的广泛应用,将提升6400 DDR5的需求;2027年AMD Venice、英特尔Diamond Rapids平台的量产,将加速7200/8000 DDR5及PCIe 6.0 SSD在服务器领域的普及。同时,Server-LPDDR迎来了应用高潮,英伟达从Blackwell到Rubin架构定义了SOCAMM到SOCAMM2的发展,SOCAMM在高能耗场景中相比RDIMM更具优势,加速卡的大规模采用也使LPDDR突破了手机和超极本的应用范围。

供需失衡,AI存储短缺成常态

与需求端的旺盛形成对比,存储行业的供给端持续紧张,结构性错配问题尤为突出。全球主要存储厂商都将最先进的产能优先用于高利润的AI存储产品,成熟制程和消费级产能受到挤压;加上过去几年行业削减产能、控制资本支出的操作,行业库存水平降至历史最低点。

这种供给策略背后,是各大厂商经过多次行业亏损后的共识:避免盲目扩张,专注于高技术、高价值、高壁垒的产品。这使得行业供给弹性大幅下降,未来市场波动逐渐减小,长期景气度持续上升。从NAND Flash产能扩张来看,行业bit增长率从以往的30%~40%降至目前的10%~20%,供给格局从“规模优先”转向“价值优先”,进入有纪律的增产阶段。

尽管原厂已经开始增加资本支出、扩充产能,但存储行业的产能扩张周期通常需要18至24个月,新产能最早也要到2027年才能释放,但仍无法完全满足市场需求。邰炜先生明确指出,2026年全球各类主流AI存储产品都无法实现供需平衡,AI存储短缺将成为长期现象。

存储技术从微创新迈向架构革新

AI最大的瓶颈不是算力不足,而是数据在存储与计算单元间的频繁传输,降低了系统效率。如何减少数据在存储与计算单元之间的频繁传输,已成为行业共同攻克的核心问题。在此背景下,存储技术正从“缩小制程、增加堆叠”的传统路线,迈向系统架构层面的全面革新。

DRAM领域,HBM凭借3D堆叠结构和硅穿孔(TSV)技术成为技术巅峰,“掌握HBM就掌握了高端市场”成为行业新准则,HBM3E、HBM4的快速迭代将进一步提升带宽。封装技术成为HBM领域的决定性因素,混合键合技术正逐步取代传统微凸块,成为HBM性能提升的新动力;2.5D/3D封装技术在系统级集成中发挥重要作用。从HBM4开始,部分计算任务将下沉至base die,HBM4E更是推动行业进入深度定制化阶段,base die的深度定制成为核心竞争力。

NAND Flash领域,300层以上产品的大规模量产持续推进,单Die成本不断下降。同时,企业级与消费级NAND彻底走向差异化发展,标准型NAND聚焦消费级市场,适配AI应用的企业级SSD则不断提升行业标准,高可靠性、低时延、高寿命成为其核心定价指标。

此外,CXL、CIM、PNM等新型存储架构技术成熟度迅速提高,预计在未来2至3年内将从概念走向规模商用,成为存储技术架构革新的重要推动力。正如邰炜先生所言,谁能解决AI时代数据搬运的功耗与延迟问题,谁就能定义行业下一个十年。

价格方面:2026年全年存储价格持续上涨

自2025年第四季度起,存储价格经历了史诗般的上涨,合约价和现货价同步跳涨,渠道、模组、整机全线传导。在某些产品的现货市场,价格上涨幅度超过了10倍。存储行业的焦点已经从“谁更便宜”转向“谁能拿到货”。邰炜先生强调:“这不是周期性的反弹,而是长期范式的转变。”

从价格走势来看,尽管整体供应缺口仍然较大,但在经历2025年第四季度、2026年第一季度和第二季度的大幅上涨后,预计从第三季度开始,存储价格涨幅将有所放缓,趋于平稳。

市场层面的分化更加明显,服务器市场的火爆与传统消费类市场的困境形成了鲜明对比。受存储成本快速上升的影响,CFM预计2026年全球智能手机出货量将下滑10%~15%,部分厂商受影响程度甚至达到30%。在此背景下,端侧AI迎来了发展的关键时期,新一代高智能的端侧AI产品,有望凭借更好的用户体验获得市场认可,并通过品牌或产品溢价化解上游存储涨价带来的成本压力。

繁荣之下需保持理性,警惕两大潜在风险

尽管行业处于高度景气的状态,但繁荣背后仍需保持清醒,防范短期风险对长期价值的冲击。邰炜先生提醒,当前存储产业面临两大潜在风险:

一是警惕AI投资过热带来的阶段性波动。大量资本涌入、项目集中布局,可能导致短期需求透支,进而引发后续市场回调。

二是警惕价格过快上涨对下游的抑制。存储涨价最终由终端厂商承担,若价格持续高企,将过度透支下游需求,进而反噬整个产业链生态。

如何在景气周期中保持理性,避免短期狂热透支长期价值,成为行业必须面对的核心课题。

最新推荐阅读:

MemoryS 2026|联芸科技:AI推理时代,存储主控芯片价值跃迁

Innodisk丨宜鼎国际亮相MemoryS 2026:以全栈协同范式,重构边缘AI落地新路径

Solidigm亮相MemoryS 2026,聚焦AI工作流挑战,展示高性能存储方案

受贸易抛盘影响低端资源承压,渠道低容量DDR4内存条价格下跌逾20%,行业及嵌入式价格维持不变

MemoryS 2026|江波龙首发SPU及iSA,端侧AI存储创新布局八大看点解读