AI浪潮冲击，NAND闪存遭遇滑铁卢

存储芯片行业向来波动剧烈，如今又到了关键节点。这一切的转折源于几年前的人工智能(AI)爆发：当时，高带宽内存(HBM)配合AI加速器成为训练模型的首选。作为一种特殊的DRAM，HBM的利润空间远超NAND闪存。面对NAND价格走低、利润被压缩的局面，三星和SK海力士等巨头在扩充NAND产能时变得更加小心谨慎。

技术层面也面临巨大挑战。随着NAND闪存层数跨过200层门槛，每代新品都需依赖尖端生产装备和庞大资金支持(图1)。如今，最顶尖的NAND器件层数已超330层。因此，尽管厂商开始将资金转向HBM生产，但至2023年，NAND产能已不再是其核心战略所在。

图1：下一代NAND闪存设计与制造工艺需投入巨额研发资金。(