风口研报：卡AI算力的InP衬底与TFLN光芯片！5家A股公司抢先布局

🔥AI 算力持续拉升，光模块迎来堪称“跨代”的跃迁！从 800G/1.6T 提升到 3.2T，速度实现翻倍，关键在于磷化铟衬底的国产替代加速，以及薄膜铌酸锂技术的不断演进。两类关键材料，正逐步成为 AI 数据中心“光速互联”的核心底座！

在 AI 算力需求的强力带动下，光模块速率正由 800G/1.6T 向 3.2T 加速演进，上游关键材料环节迎来“磷化铟（InP）衬底国产替代”与“薄膜铌酸锂（TFLN）技术迭代”的双重利好。磷化铟作为 EML、CW 激光器等长波光芯片不可替代的衬底，在出口管制与海外供给受限的背景下，国内厂商份额正在加快提升。

一、风口在眼前：这条路线为何值得重点盯住？

磷化铟属于 III-V 族化合物半导体，具备高电子迁移率、较高热导率等显著优势物性；其晶格常数与 1.3μm、1.55μm 通信波段光芯片有源层适配度高。对于 800G/1.6T 光模块而言，磷化铟衬底是 EML 电吸收调制激光器、CW 连续波激光器的必备材料，同时也是 200G EML、CPO 大功率 CW 光源的重要基材，直接关系全球高速光芯片产能的上限。

从全球格局看，磷化铟衬底长期由日本住友、美国 AXT、日本 JX 日矿三家主导，合计市场份额超过 95%。2025 年我国发布铟及磷化铟物项出口管制后，海外企业获取原料与衬底的难度明显上升：相关日本企业的出口许可拒绝率超过 80%，美国审批也更为严格。供应链趋紧带来价格抬升，2025 年以来磷化铟衬底涨幅一度超过 200%。海外龙头订单虽增加，但收入环比承压，行业供应链瓶颈也被进一步放大。

我国拥有全球领先的铟资源与产能，高纯铟基本可实现自给，从而为磷化铟衬底的量产提供可靠的资源支撑；同时，国内企业已完成 4 英寸衬底量产，并正推进 6 英寸产品攻坚。

下面，整理 A 股 5 家核心卡位公司，价值要点先给你！

控股子公司鑫耀半导体已实现磷化铟衬底量产，并在 2026 年规划扩产至 45 万片 / 年，是光芯片衬底国产替代链条中的重要先行者。

公司掌握自研自产的铟原料资源，并推进 86 万片半导体衬底项目建设，其中包含 12 万片磷化铟产能；预计 2026 年实现量产，届时有望在全产业链形成更强的成本优势。

国内 EML 与 CW 激光芯片的龙头企业，深度绑定行业头部大客户，可直接受益于光模块从 800G 向 3.2T 演进所带来的需求增长。

其配备 20 台 MOCVD 等核心设备，产品覆盖 EML、CW、VCSEL 等多类光芯片；产能规模与客户导入节奏处于行业领先位置。

CW 光源与 AWG 芯片的研发验证持续推进，光芯片平台化布局逐步落地，后续将通过持续扩产来匹配高速光模块行业的高增长需求。

从产能看：云南锗业子公司鑫耀半导体 2025 年计划产出磷化铟晶片 10.01 万片，并在 2027 年扩产至 45 万片 / 年；中金岭南推进 86 万片半导体衬底项目，其中包含 12 万片磷化铟产能，预计 2026 年量产，同时具备全产业链成本优势。

下游光芯片企业乘势突围

随着技术与产能节奏加快，源杰科技、长光华芯、仕佳光子等企业正加速完成对大客户的导入。行业机构测算认为，2025-2030 年间磷化铟在光模块中的渗透率有望从 79% 提升至 91%，对应五年需求复合增速可达 85%。

【文末彩蛋】

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