AI算力引爆功率芯片行情，碳化硅与氮化镓产能提速

自2026年起，功率半导体产业开启了新一轮的价格上涨浪潮。英飞凌和德州仪器等国际大厂率先发出涨价通知，紧接着国内厂商也纷纷响应。宏微科技、新洁能、捷捷微电等企业已对MOSFET、IGBT等系列产品实施了不同程度的调价，部分产品价格上浮了10%到20%。这波涨价潮的背后，是AI数据中心、新能源汽车市场需求的激增，叠加8英寸成熟制程产能的紧缺，共同促成了行业景气度的上扬。

在这之中，MOSFET是此轮涨价最为显著的产品类别。鉴于AI服务器对高压MOSFET及电源管理MOSFET的需求急剧攀升，大量的8英寸晶圆产能被AI基础设施所占用。与此同时，上游原材料、贵金属以及晶圆代工与封测费用的持续走高，也进一步抬高了产品的生产成本。新洁能透露，其MOSFET产品从3月份开始便已提价；捷捷微电此前也对相关产品进行了10%至20%的价格调整，并加速推进南通高端功率器件项目的扩产，以舒缓产能压力。

相对而言，IGBT的涨价步伐虽稍显滞后，但上涨趋势已然确立。集邦咨询的统计表明，部分车规级硅基IGBT芯片的涨幅已达10%至20%。宏微科技指出，当前IGBT低端产品普遍提价约10%，这主要归因于上游成本的增加及市场需求的逐步回暖。芯联集成也预测，未来IGBT的供需平衡恐将被打破，市场或将呈现供不应求的态势。

在需求层面，AI数据中心已演变为最核心的新增市场。伴随生成式AI的迅猛发展，数据中心服务器的功耗不断攀升，从而带动了功率器件需求的爆发式增长。德州仪器2026年第一季度的财报显示，其数据中心业务营收同比激增约90%。英飞凌则预估，至2027财年，其AI数据中心相关营收将有望达到约25亿欧元。

与此同时，新能源汽车、储能、光伏及充电桩市场亦在同步扩张。华润微透露，当前部分新能源相关产品已处于满产状态，汽车电子领域的新客户及新项目也开始逐步放量。

供给端的吃紧进一步加剧了行业的涨价态势。近年来，台积电、三星等晶圆厂不断缩减8英寸成熟制程产能，而AI服务器却大量占用了相关资源。TrendForce预测，2026年全球8英寸晶圆代工的平均产能利用率将攀升至85%至90%。部分晶圆代工厂已全面上调代工报价，涨幅介于5%至20%之间；封测环节同样趋紧，部分封测企业近期的涨价幅度已接近30%。

在传统硅基功率器件供应趋紧之际，以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体，也正迎来AI数据中心这一全新的应用场景。

随着英伟达力推800V HVDC高压直流架构，AI服务器供电系统正朝着更高效率及更高功率密度方向升级。传统的54V机架供电方案已难以满足超大规模AI算力中心的需求，碳化硅和氮化镓因此成为关键的技术路径。其中，碳化硅主要应用于固态变压器、中压直供系统等高功率场景，而氮化镓则更契合机柜内部高频、高效率DC-DC模块的需求。

业界普遍共识是，AI数据中心将成为第三代半导体的重要增量市场。相较于新能源汽车和消费电子领域，AI服务器对效率和功率密度的要求更为严苛，而对成本的敏感度相对较低，这为SiC和GaN企业提供了更高的附加值空间。

目前，国内厂商在该领域已逐步建立起竞争优势。天岳先进的碳化硅衬底全球市占率已跃升至首位；英诺赛科跻身英伟达800V系统供应商名单，成为唯一的中国本土氮化镓企业；比亚迪半导体也发布了1500V高耐压碳化硅芯片。与此同时，时代电气、芯联集成、斯达半导等企业也正加速碳化硅和氮化镓产线的扩建步伐。

总体而言，在AI数据中心与新能源市场的双重驱动下，功率半导体行业正步入新一轮的上行周期。短期内，供需吃紧与成本上涨的局面仍将持续，行业景气度有望延续至2026年底乃至2027年，而第三代半导体亦有望借助AI基础设施的建设，进一步拓展其成长空间。