绕开EUV限制实现量产！长鑫存储LPDDR5X成功打入华为顶级旗舰：制程跨越至1z尖端水平

快科技6月15日消息，SemiAnalysis旗下STEEL实验室日前公布了对华为Mate 80 Pro装配的麒麟9030 Pro芯片的详细解析报告。

报告证实，16GB版本的Mate 80 Pro Max同时采用了三星与长鑫存储（CXMT）的LPDDR5X存储芯片，封装时间为2025年第45周，意味着国产存储已规模化进入华为旗舰产品供应体系。

分析数据表明，长鑫存储的LPDDR5X芯片密度约为0.3Gb/mm²，已达到国际厂商1z工艺的同等水准。

在DRAM技术代际分类中，1x、1y、1z属于10nm级前三代制程，1z工艺对应12-14nm区间，是DRAM先进制程的基础门槛，这标志着长鑫正式迈入国际主流存储技术竞争者行列。

在EUV光刻设备受限的环境下，长鑫正通过3D DRAM等创新技术路线寻求突破。这是国产DRAM首次规模化进入高端旗舰手机产品线。

此前国产存储主要搭载于中低端机型，此次成功进入华为旗舰供应链，成为国产存储产业发展的关键里程碑。

受益于AI驱动的新一轮存储需求爆发，长鑫存储经营业绩呈现高速增长态势。财务数据显示，2026年Q1营业收入508亿元，同比激增719%；归属母公司净利润247.6亿元，成功实现扭亏为盈。

截至2025年底，长鑫存储合肥与北京两大基地DRAM月产能约28万片，占据全球DRAM产能的8%。从2026年开始产能将进一步扩大，全球DRAM市场份额预计将提升至15%。