Nexperia加码650V氮化镓晶体管产品线 瞄准AI与能源领域应用

Nexperia推出工业级高功率GaN FET新品，电压规格为650V，聚焦高功率转换场景。新增产品涵盖35mΩ、50mΩ和70mΩ三种导通电阻选项，采用TO-247-3、TOLL和TOLT等行业标准封装形式。这一扩展为功率工程师提供更丰富的选择，有助于在数据中心、电信电源、可再生能源系统、电池储能系统以及工业驱动与自动化等高功率领域实现性能平衡。

人工智能运算的高速增长使得机架电源功率需求从3kW以下攀升至5至12kW区间，同时可再生能源发展和工业电气化进程也催生了对更高开关频率与效率的追求。在此趋势下，氮化镓等宽禁带半导体在实现更高效率、缩减系统体积和优化散热设计方面展现出显著优势，成为下一代功率转换架构的关键支撑。

Nexperia副总裁兼GaN产品线负责人Andrea Bricconi表示：“工业、能源及人工智能基础设施领域正加速向宽带隙功率器件转型。随着对效率、功率密度和散热性能的要求不断提高，我们致力于让氮化镓技术更易获取、更具可扩展性，方便高功率应用设计工程师使用。扩充650V氮化镓产品组合是重要一步——这只是我们在宽带隙领域布局的开端。”

从系统层面来看，这些新一代氮化镓器件帮助工程师突破传统硅基方案的性能瓶颈，实现更高开关频率，同时降低开关损耗和导通损耗。根据不同应用拓扑和工况条件，设计人员可获得更高功率密度和效率，减少散热配置需求，并有效降低整体系统成本。更高的开关频率还允许采用更小型化的无源元件和磁性器件，支持更紧凑、可扩展的电力架构设计，在性能和空间利用上更具灵活性。

在10–12kW AI服务器电源的高功率LLC级典型应用中，采用氮化镓器件可将满载效率提升约0.8–1.2%，功率密度提升约40–70%，这归功于更高的开关频率和更紧凑的无源元件设计。在1kW高压电机驱动的典型场景中，氮化镓器件可将逆变器损耗降低约20–25%，实现效率提升约1–1.5%，同时支持更小型的散热方案和更高的系统功率密度。

这些器件基于Nexperia氮化镓技术平台开发，具备快速开关特性、低开关损耗、可控动态行为和优异热性能，并提供多种行业标准封装选择。这不仅优化了电气和机械设计参数，还便于直接集成到现有电力系统架构中。

35mΩ和70mΩ器件现已提供TOLL、TOLT、TO-247-3和TO-247-4封装版本，50mΩ规格的更多封装选项计划于2026年第三季度推出。