Nexperia加码650V氮化镓晶体管产品线 瞄准AI与能源领域应用
Nexperia推出工业级高功率GaN FET新品，电压规格为650V，聚焦高功率转换场景。新增产品涵盖35mΩ、50mΩ和70mΩ三种导通电阻选项，采用TO-247-3、TOLL和TOLT等行业标准封装形式。这一扩展为功率工程师提供更丰富的选择，有助于在数据中心、电信电源、可再生能源系统、电池储能系统以及工业驱动与自动化等高功率领域实现性能平衡。人工智能运算的高速增长使得机架电源功率需求从3kW以下攀升至5至12kW区间，同时可再生能源发展和工业电气化进程也催生了对更高开关频率与效率的追求。在此趋势下，
AI巨头密集涨价，存储及AI芯片引爆第二轮"超级周期"？
7倍带宽提升！美国FCC释放低轨卫星政策红利，相控阵/射频芯片行业迎来千亿级新蓝海？机器人电驱动技术突破：GaN技术驱动"动力变革"，单机用量将超千颗国产模型异军突起：AI视频生成领域的"黑马"现身最高暴涨8747.18%！AI产业链一季度释放"爆表"预期苹果领跑！自研AI服务器芯片采用玻璃基板，先进封装或将成终极答案？
张超：汽车半导体技术革新，迈向第三代势在必行
专题：智能电动汽车发展高层论坛（2026） 4月11日至12日，智能电动汽车发展高层论坛（2026）于北京举行。麦格纳集团中国区技术高级总监张超在会上发表了演讲。 张超指出，全球汽车销量预计将持续平稳上升，到2030年有望超过1亿辆。新能源汽车的份额将快速增加，预计届时占比将超过40%。其中，中国市场的汽车销量增长主要依靠新能源汽车推动，2030年销量预计突破3000万辆，新能源汽车占比将接近八成。 在谈到传统的硅基IGBT技术时，他指出了四个主要缺陷：首先，开关损耗较高，导致高频运行效率不佳；其次，耐高