SK海力士拟于清州增设NAND闪存芯片工厂

据韩国《每日经济新闻》援引知情人士消息，SK海力士正在筹划在韩国清州地区兴建一座全新的NAND闪存晶圆制造厂。据悉，该工厂属于一项更大规模区域投资规划的组成部分，相关方案预计将在6月29日总统官邸召开的会议上正式对外发布。报道指出，SK海力士此次规划的核心在于加大对清州现有NAND闪存生产基地的资本投入。该公司旗下M15厂区已于2018年竣工投产。与此同时，其竞争对手三星电子当前则在天安及温阳两地的封装测试工厂进行HBM等高阶芯片的制造。

责任编辑：王永生

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