SK海力士首发下一代AI存储HBM4E 12层堆叠样品

已向核心客户交付12层HBM4E样品引脚速度最高达16Gbps，性能与能效同步优化运用前沿MR-MUF工艺，热阻下降17%，大幅提升可靠性“凭借行业顶尖的技术实力与量产水准，不断引领AI革新，超前实现市场渴求的价值”2026年6月18日，SK海力士宣布，企业已向核心客户交付12层HBM4E样品，此款产品系专为人工智能（AI）打造的次世代超高带宽DRAM。SK海力士指出：“依托长久以来建立的HBM先发研发优势及量产底蕴，公司顺利向客户交付12层HBM4E样品。我们将同核心客户深度合作，力求保障如期实现量产。