SK海力士首发下一代AI存储HBM4E 12层堆叠样品

已向核心客户交付12层HBM4E样品

引脚速度最高达16Gbps，性能与能效同步优化

运用前沿MR-MUF工艺，热阻下降17%，大幅提升可靠性

“凭借行业顶尖的技术实力与量产水准，不断引领AI革新，超前实现市场渴求的价值”

2026年6月18日，SK海力士宣布，企业已向核心客户交付12层HBM4E样品，此款产品系专为人工智能（AI）打造的次世代超高带宽DRAM。

SK海力士指出：“依托长久以来建立的HBM先发研发优势及量产底蕴，公司顺利向客户交付12层HBM4E样品。我们将同核心客户深度合作，力求保障如期实现量产。”

此次推出的新品相较前代HBM4，在性能与能效方面均实现了飞跃式提升。其引脚速度最高达到16Gbps，且能效提升超20%，大幅强化了AI训练及推断不可或缺的数据处理效能。

另外，HBM4E借助全新接口与设计改良，有效缩减了数据传输延迟，即便处于高带宽场景下亦可维持平稳运转。企业预期，此举将有效推升下一代AI数据中心及大型计算体系的处理效能。

企业在HBM4E产品上应用了前沿（Advanced）MR-MUF11工艺，在凭借12层堆叠达成48GB容量之际，进一步巩固了结构可靠性。对比HBM4，其热阻减少了约17%，保障了在高效运算环境里的稳定运作。

1批量回流模塑底部填充（MR-MUF，Mass Reflow Molded Underfill）：在堆叠半导体芯片之后，为防护芯片间电路，向内部注入液态防护材质，并令其凝固的技术。

SK海力士依靠在HBM3、HBM3E及HBM4上积攒的量产与交付经验，总能适时推出契合客户预期的存储方案。企业将持续依托获市场验证的品质与交付实力，围绕HBM4E产品继续同客户协同化解AI系统瓶颈，鼎力支持下一代基础设施的搭建。

SK海力士开发总管（CDO, Chief Development Officer）安炫社长称：“我们会将迄今积攒的行业尖端技术竞争力与量产实力延伸至HBM4E产品，筑牢持续引领AI革新的根基。企业将借由同合作伙伴的密切协作，以超前布局实现市场期盼的价值，进一步夯实作为‘全方位面向AI的存储器缔造者’的技术领军地位。”