创新'干式转印'技术推动单晶二维半导体柔性器件突破

记者27日从西湖大学获悉，该校工学院孔玮教授团队成功实现晶圆级单晶二硫化钼薄膜在柔性基底上的高质量集成，将单晶二维半导体转移集成技术从'湿法'推进到'干法'路线，为突破长期制约高性能柔性电子发展的技术瓶颈提供了新路径。相关研究成果日前发表于《自然·电子》期刊。 以单晶二硫化钼为代表的二维半导体材料，兼具原子级厚度的柔韧性与卓越电学性能，是发展高性能柔性电子器件的重要候选材料。但其洁净、高质量、可规模化的转移集成一直是行业难题。此前，这类材料通常通过化学气相沉积法在蓝宝石衬底上外延生长，并采用'湿法转移'技