AI芯片革新：碳化硅成关键

英伟达已规划在其新一代Rubin处理器中，将CoWoS封装的基板材料从硅改为碳化硅。

一、上游：衬底与外延（技术壁垒最高，占成本七成，最为核心）

1）碳化硅衬底（直接受益于CoWoS封装基板及高压电源）

天岳先进

国内半绝缘型SiC衬底领军企业，布局8/12英寸产品，适配射频与先进封装基板，是AI算力封装的核心受益者。

露笑科技

导电型SiC衬底主力厂商，推进6/8英寸产能扩张，聚焦功率器件，匹配数据中心HVDC高压电源需求。

三安光电

实现衬底与外延一体化，8英寸已量产，是国内IDM模式龙头。

天合光能

旗下子公司涉足SiC衬底领域，正扩产导电型产品。

2）外延片（决定耐压性能与电源效率，算力电源刚需）

天岳先进：同步布局外延业务

三安光电：外延技术成熟

纳博特（天岳旗下）：外延领域龙头

东尼电子：布局SiC外延，聚焦功率器件方向

二、中游：SiC器件与IDM（服务器电源、HVDC及车规双受益）

斯达半导

国内功率器件龙头，SiC模块成熟，直接供应服务器与数据中心电源，AI电源领域最大受益者。

闻泰科技

旗下安世半导体为SiC IDM企业，高压器件适配HVDC 800V架构。

扬杰科技

提供SiC二极管与MOSFET，电源侧产能释放。

士兰微

采用IDM模式，聚焦SiC功率器件，主攻服务器电源方向。

华润微

布局SiC器件与模块，拓展高压电源应用。

三、直接受益于AI封装（CoWoS基板采用SiC）

逻辑：英伟达Rubin以SiC替代硅基板，12英寸半绝缘SiC衬底成为最大增量

天岳先进（最直接受益，半绝缘衬底国内龙头）

三安光电（12英寸衬底与外延布局）

四、设备及辅材（上游扩产带动需求）

北方华创：提供SiC刻蚀与长晶设备

晶盛机电：专注SiC长晶炉及衬底加工设备

凯盛新材：供应高纯碳源，作为SiC长晶原材料