AI芯片革新：碳化硅成关键

英伟达已规划在其新一代Rubin处理器中，将CoWoS封装的基板材料从硅改为碳化硅。一、上游：衬底与外延（技术壁垒最高，占成本七成，最为核心）1）碳化硅衬底（直接受益于CoWoS封装基板及高压电源）天岳先进国内半绝缘型SiC衬底领军企业，布局8/12英寸产品，适配射频与先进封装基板，是AI算力封装的核心受益者。露笑科技导电型SiC衬底主力厂商，推进6/8英寸产能扩张，聚焦功率器件，匹配数据中心HVDC高压电源需求。三安光电实现衬底与外延一体化，8英寸已量产，是国内IDM模式龙头。天合光能旗下子公司涉足Si