AI算力浪潮来袭！氮化镓从快充辅助跃升为算力基础设施关键组件，重塑AI供电新模式

📊 硅基与氮化镓核心参数对比

性能指标

硅基器件

氮化镓器件

AI核心价值

击穿电场

基准1倍

10倍

适配800V高压架构，耐压能力更优

开关速度

基准1倍

5-10倍

实现高频工作，缩减设备体积

导通损耗

基准1倍

1/10

显著降低损耗、减少发热

转换效率

84%-94%

96%-98.5%

优化PUE，大幅降低机房运营成本

💡 关键科普：GaN与SiC分工清晰、互为补充

维度

功率GaN（AI主线）

射频GaN（军工通信主线）

核心衬底

硅基GaN（8英寸量产）

碳化硅基GaN（军工级）

核心场景

AI服务器、车载OBC、快充、储能

5G基站、相控阵雷达、低轨卫星、6G

核心逻辑

AI功耗爆发，刚需替代硅基

军工信息化+低空经济高景气

核心龙头

英诺赛科、士兰微、华润微、东微半导

海特高新、国博电子、苏州能讯、三安光电

1、上游原材料/设备（产能核心壁垒）

2、中游衬底+外延（利润最高环节）

3、下游芯片与终端应用