三星展出全球首颗5nm MRAM芯片，计划2027年投产

IT之家 6 月 17 日讯，据韩国媒体 SEDaily 12 日报道，在 2026 年 IEEE VLSI 研讨会上，三星电子公开展示了全球首款基于 5nm 工艺的 MRAM（磁性随机存取存储器）研发成果。

与 DRAM 相比，MRAM 的核心优势在于其非易失性特性，无需持续刷新即可长期保存数据，从而在能效表现上更具优势。

三星这款 5nm MRAM 芯片的工作温度范围覆盖 -40℃ 至 +150℃，符合 AEC-Q100 车规级标准，正按计划向 2027 年实现量产的目标迈进。

IT之家了解到，三星今年初曾在另一学术场合展示过 8nm MRAM 技术，且基于该工艺的 AI 边缘芯片已于今年 5 月成功完成流片。