三星展出全球首颗5nm MRAM芯片，计划2027年投产
IT之家 6 月 17 日讯，据韩国媒体 SEDaily 12 日报道，在 2026 年 IEEE VLSI 研讨会上，三星电子公开展示了全球首款基于 5nm 工艺的 MRAM（磁性随机存取存储器）研发成果。 与 DRAM 相比，MRAM 的核心优势在于其非易失性特性，无需持续刷新即可长期保存数据，从而在能效表现上更具优势。 三星这款 5nm MRAM 芯片的工作温度范围覆盖 -40℃ 至 +150℃，符合 AEC-Q100 车规级标准，正按计划向 2027 年实现量产的目标迈进。 IT之家了解到，三星今
MRAM技术赋能，寒序科技联手SemiFive研发高性能AI芯片
三星电子将承担代工制造。5月7日，半导体设计公司SemiFive宣布与国内AI创新企业寒序科技达成深度合作，联合推出了一款集成嵌入式磁阻随机存取存储器（eMRAM）的高性能人工智能芯片。这一突破性成果融合了双方在芯片设计与存储技术领域的专长，更标志着MRAM这一新兴存储技术在AI芯片领域的商业化应用取得了实质性进展。作为极具潜力的非易失性存储技术，MRAM（磁阻随机存取存储器）通过精准电流激发磁性材料电子自旋实现数据读写。相较于当前广泛应用的DRAM，MRAM技术具备三大优势：一是功耗更低，处理同等数据时