三星展出全球首颗5nm MRAM芯片，计划2027年投产
IT之家 6 月 17 日讯，据韩国媒体 SEDaily 12 日报道，在 2026 年 IEEE VLSI 研讨会上，三星电子公开展示了全球首款基于 5nm 工艺的 MRAM（磁性随机存取存储器）研发成果。 与 DRAM 相比，MRAM 的核心优势在于其非易失性特性，无需持续刷新即可长期保存数据，从而在能效表现上更具优势。 三星这款 5nm MRAM 芯片的工作温度范围覆盖 -40℃ 至 +150℃，符合 AEC-Q100 车规级标准，正按计划向 2027 年实现量产的目标迈进。 IT之家了解到，三星今
类脑芯片问世，AI能耗有望大降七成
人工智能目前正遭遇能源瓶颈。伴随模型体量的持续膨胀，数据中心对电力的需求已逼近不可持续的极限。现有的计算架构受限于“冯·诺依曼瓶颈”，处理器与内存间频繁的数据交互耗尽了系统绝大部分电力。为攻克这一难题，剑桥大学与南加州大学（USC）的科研团队研制出一种仿生“忆阻器”。此类纳米电子元件实现了存储与处理功能的合二为一，复刻了人脑的高效运作。这一突破性进展预期可使AI能耗削减70%，并赋能电子设备在以往无法想象的极端环境中正常运作。现代计算机在主板上频繁搬运数据导致了巨大的能源浪费。这种负责运算的“大脑”与负责