华睿智普Hyper AI Brain：重新定义具身智能端侧算力标准
在具身智能企业纷纷探索场景落地与产品形态创新之际，制约行业发展的关键瓶颈始终在于底层算力架构的设计，这成为实现真正智能化与大规模商业应用的核心挑战。华睿智普自创立之初便聚焦这一产业痛点，确立了物理AI新基建的发展路径——构建具身智能端侧算力的"自主可控方案"：依托全球前沿的3nm先进制程SoC芯片，自主研发推出Hyper AI Brain端侧智能超脑，凭借业界首创的机器人大小脑单芯片融合技术，打造软硬件深度融合的全栈式机器人核心"感知与控制中枢"，为下一代具身智能机器人树立算力新标杆。作为全球首个向上定义
微信AI助手开启灰度测试，诺奖得主加盟Anthropic，英特尔联电联手布局3纳米
今年端午假期好多地方都在下雨杭州也入梅了在家躺两天已经看了七八部AI短剧了。。。下面是今天的其他大新闻微信 AI 助手“小微”灰度上线（ IT 之家 ）6 月 20 日消息，微信原生 AI 助手“小微”今日开始扩大灰度测试范围，多个平台上都出现了用户反馈。腾讯客服表示，“小微”目前仍处于测试阶段，支持通过文字或语音对话操作微信原生功能，例如调整设置、发送消息、拨打电话、点外卖、生成图片等。客服同时表示，灰度测试覆盖多个系统，具体参与资格以实际页面显示为准。获得测试资格的用户能够在微信页面的左上角看到一个带
AI芯片需求井喷，台积电市值狂飙创历史新高
台积电股价周一大幅上扬逾5%，突破历史最高点，市值突破2.28万亿美元。此次涨势主要受两大因素推动：英伟达全新AI芯片发布及台积电3nm制程涨价预期。 在台北Computex展会上，英伟达CEO黄仁勋宣布推出专为AI智能体工作负载设计的Vera CPU，目前已全面量产。该处理器在智能体AI、强化学习及数据处理等工作负载方面，任务执行速度比x86 CPU快1.8倍。首批大型用户包括OpenAI、Anthropic及SpaceX。英伟达同时宣布推出RTX Spark PC芯片，正式进军个人电脑处理器市场，与英
台积电3nm代工费或迎二度涨价，下半年最高涨幅15%
【TechWeb】5月27日消息，据外媒披露，自去年下半年起，终端厂商便深陷内存涨价泥潭。步入2026年后，飙升的内存成本令其倍感压力，由AI需求激增引发的供需失衡局面至今仍未缓解。 据外媒透露，除内存外，全球晶圆代工龙头台积电的先进制程同样处于供不应求状态，产能告急。为此，台积电已于今年初将5nm及以下工艺的代工报价上调了5%至10%。 然而，据外媒报道，在年初调价后，台积电计划于下半年再次上调3nm制程价格，涨幅上限或达15%，明年甚至可能继续上调5%至10%。 外媒指出，台积电拟再度涨价，主要源于A
华为郑俊披露：韬定律赋能Mate 90芯片，工艺逼近3nm尖端水平
IT之家 5 月 27 日讯，凤凰网财经报道显示，“2026 凤凰湾区财经论坛 · 金融峰会”于深圳召开。华为金融系统部 CTO 郑俊在主题演讲中阐述，韬（τ）定律是华为多年深耕芯片、工艺及工程范式领域所沉淀的系统化理论成果。这绝非单一的理论定律，而是彻底革新了芯片制造行业的规则，并重构了产业链的协作模式与工作流程。 郑俊进一步强调，华为凭借韬（τ）定律的设计范式，在国家自主技术支撑与产业链协同的助力下，成功贯通了从上游硅元设计到封装测试的全链条、全工艺制造环节。依托该定律研发的芯片已落地华为 Mate
华为Mate 90将搭载韬定律芯片，性能逼近3nm水准
快科技5月27日讯，据国内消息，华为金融系统部CTO郑俊在活动中分享了华为在芯片技术、算力生态及金融智能化方面的最新成果。 郑俊指出，韬（τ）定律是华为在芯片、工艺及工程范式上的系统化理论总结。它不仅是理论，更彻底颠覆了芯片制造规则，重构了产业链的协同机制与工作模式。 在产业链协同及国家自主技术助力下，华为依托韬（τ）定律设计范式，打通了从上游硅片设计到封装测试的全工艺与全供应链环节。 基于此定律研发的芯片已首发于华为Mate90，实现了逼近3nm的顶尖工艺水平。 据华为近期信息，该芯片代号为“麒麟202
京东深蓝联手打造国民好车2.0，L06增程版启动预售并推专属试驾
京东汽车与深蓝汽车达成深度战略合作，共同宣布国民好车2.0项目选定深蓝L06增程版作为核心车型，并将在京东平台独家首发。现阶段，京东App内已开设深蓝汽车官方旗舰店及自营旗舰店，消费者可在线预约试乘或直接下订。 特别值得关注的是，两家企业在济南率先试点“Open出发”上门深度体验服务。用户只需在京东App内搜索该服务名称，即可自主选定试驾地点与时段，最长享受两小时的深度试驾体验。 据官方介绍，智能配置上，新车配备激光雷达装置，座舱系统采用业界首款3纳米制程车规芯片，确保操作极致流畅。在操控性能方面，深蓝L
SK 海力士押注台积电 3nm 工艺 旨在 HBM4E 超越三星抢占 AI 内存高地
IT之家 3 月 22 日消息，据韩媒《朝鲜日报》，SK 海力士正考虑在其 HBM4E 中为承担核心处理功能的“逻辑芯片”引入台积电 3nm 工艺，从而进一步获取性能优势。 业内消息人士 3 月 20 日透露，SK 海力士计划在 HBM4E 的“核心芯片”（即堆叠的 DRAM）上使用 10nm 级第 6 代（1c）DRAM 工艺，而逻辑芯片则采用台积电的 3nm 工艺。 相比之下，今年 SK 海力士向英伟达供应的 HBM4 采用了 10nm 级第 5 代（1b）DRAM 核心芯片，逻辑芯片则使用台积电 1