AI 科普专栏 | 《eMRAM 存储芯片革命》第五期:深度解析寒序科技为何领跑国内 8nm eMRAM AI 芯片
导读2026 年 5 月 7 日，一则消息在半导体与 AI 领域引发轰动：中国寒序科技携手韩国 SEMIFIVE，成功实现亚洲首例 8nm eMRAM 边缘 AI 芯片流片。许多人不禁发问：寒序科技究竟是谁？为何它能率先推出 8nm eMRAM AI 芯片？其技术实力究竟有多雄厚？本期第五篇，我们将对此进行全方位深度剖析。核心团队：融资历程（截至 2026 年 5 月）：寒序科技是国内唯一具备从物理、材料、器件到异质集成、芯片设计、算法全链条研发能力的磁计算企业。技术分工（创新合作模式）：核心性能指标：量
MRAM技术赋能，寒序科技联手SemiFive研发高性能AI芯片
三星电子将承担代工制造。5月7日，半导体设计公司SemiFive宣布与国内AI创新企业寒序科技达成深度合作，联合推出了一款集成嵌入式磁阻随机存取存储器（eMRAM）的高性能人工智能芯片。这一突破性成果融合了双方在芯片设计与存储技术领域的专长，更标志着MRAM这一新兴存储技术在AI芯片领域的商业化应用取得了实质性进展。作为极具潜力的非易失性存储技术，MRAM（磁阻随机存取存储器）通过精准电流激发磁性材料电子自旋实现数据读写。相较于当前广泛应用的DRAM，MRAM技术具备三大优势：一是功耗更低，处理同等数据时