AI 科普专栏 | 《eMRAM 存储芯片革命》第五期:深度解析寒序科技为何领跑国内 8nm eMRAM AI 芯片
导读2026 年 5 月 7 日，一则消息在半导体与 AI 领域引发轰动：中国寒序科技携手韩国 SEMIFIVE，成功实现亚洲首例 8nm eMRAM 边缘 AI 芯片流片。许多人不禁发问：寒序科技究竟是谁？为何它能率先推出 8nm eMRAM AI 芯片？其技术实力究竟有多雄厚？本期第五篇，我们将对此进行全方位深度剖析。核心团队：融资历程（截至 2026 年 5 月）：寒序科技是国内唯一具备从物理、材料、器件到异质集成、芯片设计、算法全链条研发能力的磁计算企业。技术分工（创新合作模式）：核心性能指标：量
类脑芯片问世，AI能耗有望大降七成
人工智能目前正遭遇能源瓶颈。伴随模型体量的持续膨胀，数据中心对电力的需求已逼近不可持续的极限。现有的计算架构受限于“冯·诺依曼瓶颈”，处理器与内存间频繁的数据交互耗尽了系统绝大部分电力。为攻克这一难题，剑桥大学与南加州大学（USC）的科研团队研制出一种仿生“忆阻器”。此类纳米电子元件实现了存储与处理功能的合二为一，复刻了人脑的高效运作。这一突破性进展预期可使AI能耗削减70%，并赋能电子设备在以往无法想象的极端环境中正常运作。现代计算机在主板上频繁搬运数据导致了巨大的能源浪费。这种负责运算的“大脑”与负责
DeepSeek V4登场，AI热潮却现降温
4月24日，中国AI圈迎来一个标志性节点——深度求索正式推出DeepSeek-V4预览版并同步开源。它以27B的轻量参数，在多项关键指标上全面压过参数规模达到其15倍的上一代旗舰模型，直指GPT-4o和Claude Sonnet 4.5，瞬间点燃整个行业。DeepSeek-V4系列此次共带来两个版本：DeepSeek-V4-Pro（旗舰版）与DeepSeek-V4-Flash（轻量版）。本次更新的看点主要集中在三方面：① 百万字级超长上下文——这次最具分量的杀手锏。V4最高支持100万Token（约100
端侧AI崛起，破解存储墙难题迫在眉睫
随着AI技术从云端向边缘及终端设备渗透，一场以“端侧AI”(Edge AI)为核心的技术革新正在兴起。在此背景下，我们需要思考数十亿终端设备的未来走向——特别是如何打破它们必须依赖云端才能处理AI任务的现状。这些设备应进化为具备自主AI能力的系统，能高效执行本地推理，其性能指标通常以每瓦特运算次数(TOPS/W)来体现。相较于AI数据中心，端侧实时推理更强调在数据源头（即设备端）就近加速。然而，这也带来了算力限制、内存性能及严格能耗成本控制的难题。这表明，在打造高效端侧AI方案时，计算与内存资源已变得同等