碳化硅助力AI算力发展

碳化硅（SiC）正成为AI算力的新主线，核心驱动来自800V高压供电、先进封装散热、AR光波导三大场景同步爆发，叠加国产替代提速，板块进入高增长拐点。

一、核心逻辑：为什么是SiC？

SiC是第三代宽禁带半导体，性能全面碾压硅基：

- 禁带宽度：硅的3倍，耐高温（200℃+）

- 击穿电场：硅的10倍，适配800V高压

- 热导率：硅的2-3倍，解决AI芯片1000W+散热难题

- 低损耗：开关损耗降低50%+，能效显著提升

二、AI三大核心场景（2026—2030高景气）

1）AI数据中心：800V HVDC电源（刚需增量）

- 传统12V架构无法承载单机柜50kW+功耗，英伟达新平台全面切换800V高压直流

- SiC器件在电源中渗透率约24%，2030年市场规模或达200亿元，交货周期拉长至30周，价格上涨超15%

2）先进封装：SiC中介层/散热基板（第二成长曲线）

- AI芯片功耗突破1400W，硅基中介层散热瓶颈显著

- 英伟达Rubin平台、台积电CoWoS（2027年）导入SiC中介层，单颗价值量提升5-10倍

- 若30% CoWoS采用SiC，对应市场约9亿美元

3）AR/VR：SiC光波导（下一代硬件核心）

- SiC折射率2.6+（玻璃≈1.5），高透、轻量化、散热优，支撑AR眼镜高分辨率+大视场角

- 蓝特光学等布局SiC光波导，受益苹果/ Meta新机型量产

三、市场空间与催化

- 规模：SiC衬底市场预计从百亿级增至数千亿元，AI电源+先进封装占比超50%

- 关键催化：- 英伟达/台积电官宣SiC导入，2026—2027年落地

- 海外供给收缩，国内衬底价格企稳回升

- 800V HVDC服务器量产，电源厂商订单饱满

四、产业链：国产替代加速，中国厂商主导12英寸

- 衬底（核心，占成本~50%）：天岳先进、天科合达、露笑科技；海外Wolfspeed破产重组，国内率先突破12英寸

- 外延片：三安光电、天域半导体、芯联集成

- 器件/模组：斯达半导、时代电气、英飞凌（海外）

- 设备（铲子股）：晶盛机电、晶升股份（SiC长晶炉全球龙头）

- 天岳先进(688234)：全球导电型SiC衬底市占率第一，8英寸全球第一，12英寸领先；AI电源/先进封装核心供应商。

- 露笑科技(002617)：6英寸导电型衬底量产，12英寸样品验证，产能扩张弹性大。

- 三安光电(600703)：国内唯一 衬底-外延-器件IDM，8英寸外延/器件量产，AI电源+车规双受益。

- 瀚天天成(02676.HK)：全球最大SiC外延供应商，华为参股。

- 斯达半导(603290)：车规级SiC模块龙头，AI 800V电源批量供货。

- 芯联集成(688469)：中国SiC器件全球第一（市占≈5%），AI数据中心+先进封装双主线。

- 时代电气(688187)：高压SiC器件核心，电网/数据中心电源高壁垒。

- 士兰微(600460)/华润微(688396)：IDM功率龙头，SiC MOSFET放量，AI电源+工控受益。

- 晶升股份(688478)：SiC长晶炉全球龙头，直接受益衬底产能爆发。

- 晶盛机电(300316)：SiC设备+材料双布局，8/12英寸长晶设备核心供应商。

- 芯联集成(688469)：SiC中介层导入英伟达Rubin，单颗价值量5-10倍

SiC已从“新能源车支线”升级为“AI算力主线”，三大新场景驱动需求10倍级增长，国产龙头迎来份额与估值双升。

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