AI 核心新赛道：碳化硅 SiC 崛起
—— 京北月光
半导体材料国产化替代迫在眉睫
🌟据 SIA 数据显示，全球半导体销售额逼近 6874 亿美元，同比增幅达 22.7%；中国大陆销售额约 1896 亿美元，同比上涨 13.5%。与此同时，晶圆产能正加速扩容，SEMI 预测 2028 年全球 12 英寸晶圆月产能将突破 1110 万片，2024 至 2028 年复合年均增长率（CAGR）约为 7%；其中 7nm 及以下先进制程月产能将从 85 万片攀升至 140 万片，同期 CAGR 约为 14%。此外，依据 SEMI 统计与展望，中国大陆已投产及在建的晶圆代工厂数量，预计将从 2024 年的 29 座增至 2027 年的 71 座。
🌟HBM 工艺与封装更为复杂，单位比特晶圆面积消耗远超传统 DRAM，从而推高了相关半导体材料的消耗量。TECHCET 预测 2025 年全球半导体材料市场规模将触及 700 亿美元，同比增长 6%，并预计到 2029 年该市场规模将突破 870 亿美元。在国内，据中商产业研究院统计预测，2025 年中国大陆关键材料市场规模将达到 1741 亿元，同比增长 21.1%。此外，在先进制程持续迭代的背景下，工艺对污染的容忍度降低，电子化学品对超高纯度、低颗粒度及批次一致性的要求显著提升，行业竞争更倾向于“技术实力 + 规模效应 + 客户验证”的综合比拼，订单与市场份额有望进一步向头部供应商集中。
海外 NAND 第二季度涨价 60%-65%，DRAM 第二季度涨价 45%-50%，表现超预期
AI 新核心主线：碳化硅 SiC
1️⃣为何新主线锁定 SiC
#报告指出，市场偏见与海量需求并存，为 SiC 留下了巨大的发展空间。
➠报告提及 AI 电源与 AI 基建互为支撑，但因市场对 SiC 的固有偏见，导致关注度未向 SiC 倾斜，而实际上行业推进速度正在加快。
➠我们在路演中反复强调，AI 电源的核心增量在于 SiC，这源于其对效率的高要求、技术匹配度更高以及产业链更成熟等因素。然而，市场仍深陷“产能过剩、行业下行”的旧有印象中，时至今日此类观点依然普遍。
2️⃣市场潜力有多大
➠报告认为，到 2030 年 AI 电源将占据 SiC 电源市场的 50%，这一比例高于我们此前“翻倍于车规市场”的预判，#据此推算电源市场对 SiC 衬底及设备的需求有望增长近 10 倍。
➠报告还提及 SiC 在先进封装领域的应用，虽未给出具体预测，但我们预计 CoWoS 中 SiC 的应用规模将超过电源市场。#综合研判，SiC 衬底市场有望从当前的百亿级别跃升至未来的两三千亿规模，同时将大幅提振设备需求。
射频电源是量价齐升的关键零部件环节
# 量：首先是刻蚀与薄膜沉积步骤的增加，例如 28nm 工艺刻蚀步骤为 70 道，薄膜沉积为 90 道，至 7nm 时提升至 140 道刻蚀与 170 道薄膜沉积，基本实现翻倍。其次是复杂度的提升带动电源解耦，分化为高低频甚至多频频率调制，随着工艺向先进制程迭代，需求量将呈非线性增长。
#价：复杂的微观结构推动了脉冲控制（防止孔刻偏斜或过刻蚀）、功率提升（提高深宽比与效率）、扫频功能（协助控制反射频率以确保均匀性）等需求，整体而言单台射频电源价值量有所上升，匹配器 ASP 同步提高。
#设备大周期，零部件先行
节奏上零部件交付将快于设备，目前从海外市场看，AE 和 MKS 已面临供不应求的局面，设备厂商开始囤货（MKS 纪要原话），并加速扩产（AE 纪要原话）；国内节奏略慢于海外，整体设备大规模导入预计在今年的第四季度，而零部件预计第二季度起将逐步交付，今年起表观业绩有望显著改善。
产业链调研显示，北美 G 客户近期计划向台达下达为期三年的预测订单，规模对应约 1 个多 GW，SST 产业化进展超出预期。
算力与电力协同
需求爆发：Token 需求激增 350%
👉受 Token 需求飙升 350% 的驱动，今年超大规模云服务商（Hyperscalers）的资本支出预测已从 4500 亿美元大幅上调至 8000 亿美元，数据中心将面临 55GW 的电力缺口。
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🔥 政策明确：顶层设计强力推动算电协同，产业趋势已定
👉4 月 22 日《关于更高水平更高质量做好节能降碳工作的意见》，提出创新发展绿电直连、智能微电网等新模式；
👉4 月 27 日，国家能源局表示已研究制定了多用户绿电直连政策；
👉5 月 8 日，《关于促进人工智能与能源双向赋能的行动方案》，统筹规划大型新能源基地与国家算力枢纽布局。
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🔥绿电非可选项，# 建设算力项目绿电占比超 80% 的案例频现
5 月 12 日至 14 日，在第十三届航空动力和燃气轮机展览会期间，叶片厂商 MRO、贝克休斯等海外询单密集，成交意向强烈；自主可控轻燃航改燃项目询单踊跃，25mw、7mw、3mw 机型在油气田管网应用广泛。
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