存储器板块回暖，SK海力士股价飙升逾10%
6月25日早间，受美光财报亮眼表现提振，日本和韩国半导体类上市公司股价延续回升态势。截至发稿时，SK海力士股价曾一度大涨超过10%，攀升至2846000韩元/股；三星电子股价上扬超过5%，达到357750韩元/股；铠侠控股股价涨幅超过6%，至98100日元/股。就在本周二，这三家日韩半导体企业的股价曾遭遇重挫，跌幅均超过10%，随后在次日便展开反弹行情。业内分析指出，存储芯片相关企业的股价虽然出现了短期波动，但整体产业趋势并未发生根本性改变。（第一财经记者 王珍） (本文来自第一财经)
SK海力士拟于清州增设NAND闪存芯片工厂
据韩国《每日经济新闻》援引知情人士消息，SK海力士正在筹划在韩国清州地区兴建一座全新的NAND闪存晶圆制造厂。据悉，该工厂属于一项更大规模区域投资规划的组成部分，相关方案预计将在6月29日总统官邸召开的会议上正式对外发布。报道指出，SK海力士此次规划的核心在于加大对清州现有NAND闪存生产基地的资本投入。该公司旗下M15厂区已于2018年竣工投产。与此同时，其竞争对手三星电子当前则在天安及温阳两地的封装测试工厂进行HBM等高阶芯片的制造。 责任编辑：王永生 新浪财经声明：此消息系转载自合作媒体，新浪财经登
韩国Kospi指数大幅上扬 美光业绩预期与SK海力士美股上市计划成主要推手
专题：A股或回归多主线 下半年关注三大方向 韩国Kospi指数盘中一度攀升6%，跟随美股期货同步走高。受益于美光(1048.51, -3.26, -0.31%)发布的乐观业绩展望，市场围绕人工智能的投资热情再度被点燃。与此同时，SK海力士公布在美国上市、募资规模约294亿美元的计划，也为市场情绪注入强劲动力。 SK海力士与三星电子成为本轮股指上涨的主要推手，两家公司股价盘中涨幅分别高达12%和5.9%。 截至目前，Kospi指数年内累计涨幅已达112%。 Fibonacci Asset Managemen
SK海力士拟赴美IPO募资290亿美金股价飙涨12%
SK海力士计划在美国上市，拟募资45.45万亿韩元（约合294亿美元）；尽管本周内存板块遭遇抛压，市场对高增长存储芯片股的需求仍十分旺盛。 在发行美国存托凭证前，SK海力士在首尔市场的股价过去12个月飙升约850%，市值突破1万亿美元。周四早盘，股价一度跳涨12%。投资者对AI相关半导体企业的情绪波动剧烈，即便在整体上行周期中，股价仍频繁出现大幅震荡。 此次赴美上市，标志着SK海力士崛起之路的又一重要节点。作为AI芯片巨头英伟达的核心供应商，SK海力士已稳居高频宽记忆体（HBM）市场首位，进一步拉开与长期
SK海力士筹划纳斯达克上市，拟募资约300亿美元
IT之家 6 月 24 日消息，据彭博社 24 日（今天）报道，SK 海力士计划在纳斯达克发行存托凭证，筹资 45.45 万亿韩元（IT之家注：现汇率约合 294 亿美元、2005.25 亿元人民币），存托凭证预计于 7 月 10 日开始交易。 三星电子、美光科技和 SK 海力士是全球三大高带宽内存制造商，控制着全球 AI 基础设施建设中的关键供应环节。随着数据中心加快扩建，高带宽内存供应已经成为制约扩张的重要瓶颈。 Counterpoint Research 数据显示，若按营收计算，SK 海力士 202
韩国股市惊现"黑色星期二"，熔断机制被触发背后隐藏什么秘密？
韩国股市经历"黑色星期二"，剧烈波动引发熔断！这究竟是怎么回事？6月23日下午，韩国综合指数（KOSPI）狂泻8%，直接触发熔断机制，全天指数下挫9.99%，创下今年3月4日以来单日跌幅之最。 当日，韩国两大科技巨头股价双双遭遇重创。三星电子收盘重挫12.31%，创下2008年10月24日以来最大单日跌幅；SK海力士收盘暴跌12.47%，创2008年12月24日以来最大单日跌幅。 那么究竟是什么因素导致韩国股市频繁出现剧烈波动？主要原因是6月22日，韩国金融监督院严厉抨击了追踪三星电子和SK海力士的单票杠
存储芯片巨头SK海力士拟赴美上市，融资近三百亿美元
这家韩国公司正受益于由人工智能热潮引发的芯片需求激增 摘要 得益于人工智能芯片行业的繁荣，SK 海力士打算在纳斯达克上市筹集超过 290 亿美元，以支持其产能扩张。 韩国 SK 海力士（股票代码：000660，涨幅 0.98%）计划赴美上市筹集超过 290 亿美元。随着人工智能产业的蓬勃发展，全球对高端芯片的需求正在飙升，公司希望利用海外资本来推动其扩张战略。 该公司周三向韩国监管机构提交的文件显示，这家全球第二大存储芯片制造商计划在纳斯达克发行美国存托凭证，筹集约 45.453 万亿韩元（约合 296.
SK海力士启动美国上市计划，募资目标逾290亿美元
韩国市值领跑的“新科股王”敲定赴美上市日程！ 6月24日，据中国基金报消息，SK海力士宣布，公司拟发行最高45.45万亿韩元（约合294亿美元）的美国存托凭证（ADR），预计于7月10日登陆纳斯达克交易所。公司指出，最终融资规模可能在询价流程结束后变动。此次发行由美国银行、花旗集团、高盛集团和摩根大通联合主导。 SK海力士称，筹集资金将用于支持核心半导体计划，涵盖龙仁半导体集群的首座晶圆厂、清州的P&T7先进封装基地，以及芯片设备和基础设施的增资。 据中国基金报引述《韩国经济日报》报道，SK海力士
SK海力士将发行规模达45.45万亿韩元的新存托凭证
SK海力士拟发行最多45.45万亿韩元的存托凭证，所得资金将投向半导体晶圆厂的建设项目。 这家企业的美国存托凭证将在纳斯达克市场挂牌交易，最终发行规模将依据市场状况及簿记结果来确定，最多可达1780万股登记普通股。 美银证券、花旗集团、高盛及摩根大通将担任主承销机构，募集资金将用于龙仁半导体产业集群、清州先进封装设施以及极紫外光刻扫描设备等方面。
SK海力士拟赴美发行存托凭证募集290亿美元 加码人工智能布局
面对人工智能产业链企业纷纷扩产以应对存储芯片缺口的局面，SK海力士正筹划通过一桩具有划时代意义的美国上市项目，筹集45.45万亿韩元（约合294亿美元）资金。以当前体量与汇率折算，该交易有望跻身全球有史以来前五大股票发行之列，规模足以与2019年沙特阿美那场创纪录的IPO分庭抗礼。近几个月来，为支撑AI基础设施建设而进行的企业融资规模接连刷新历史。本月早些时候，SpaceX刚刚完成了史上规模空前的公开募股，而Alphabet也在筹划筹集850亿美元资金，以推进其人工智能战略。随着更多超大额融资项目相继登场
HBM市场领先之后，SK海力士被曝重心转向通用DRAM生产
IT之家 6 月 23 日消息，据韩媒 Chosun.biz 今天（23 日）报道，SK 海力士开始放缓第六代高带宽内存 HBM4 的扩产步伐，将更多产能和资源转向通用型 DRAM。 鉴于 SK 海力士的 HBM 营收占比已经超过 40%，已在市场占据明显优势，因此无须继续参与激进的扩产竞争。相比之下，通用型 DRAM 供应严重短缺，盈利能力也已经超过 HBM，成为获取更多利润的新重点。 消息称 SK 海力士已经推迟部分 HBM3E 产线转产 HBM4 的时间（IT之家注：HBM3E 属于第五代 HBM）
韩股受科技板块提振上扬4%，前交易日曾狂泄10%
在芯片股走高的驱动下，韩国综合股价指数周三涨幅一度达到4%，此前该指数周二曾大幅回落10%。三星、SK海力士和三星C&T成为指数的核心拉升力量。三星在韩国交易所股价涨幅最高达8.7%，SK海力士涨幅为5.2%。摩根士丹利包括分析师Joon Seok在内的团队在一份研究报告中指出：“基本面虽然稳健，但技术面更为关键。我们判断这是一次回调而非趋势性下跌。”科斯达克指数中小型股涨幅最高达1.7%。
韩国政府携手两大芯片巨头 探讨新一轮半导体产业布局
韩国总统政策幕僚长金容范周三透露，政府正与三星电子、SK海力士就半导体生产设施下一阶段的大规模投资计划进行深入讨论，并透露新建芯片产业集群的公告即将发布。 金容范在一次研讨会上指出，人工智能驱动的芯片需求正呈现指数级和爆发式增长态势，这可能推动两家公司将芯片工厂建设进度提前超过10年，预计在2034至2035年间完成。 “关键在于我们如何支撑人工智能领域的变革。展望未来七八年的下一阶段，我们面临的核心挑战是寻找一块庞大的新场地，以构建第二个产业集群，”金容范表示。
SK海力士拟提交文件 加速美国存托凭证上市进程
据《韩国经济日报》消息，SK海力士预计将向韩国金融监督机构递交有关发行美国存托凭证（ADR）的申请材料。 这标志着SK海力士在赴美上市道路上又前进了一步，此前这家芯片制造商的股价大幅攀升，带动韩国股市表现领先全球。早期报道指出，此次ADR发行可能筹集高达100亿美元，但最终金额尚待敲定。 韩国经济日报称，基于SK海力士股价近期飙升后的市值，行业预估此次ADR发行的募资总额或达40万亿韩元（260亿美元）。这一规模可与阿里巴巴(102.6, -2.37, -2.26%)2014年在美上市的筹资额相媲美。 报
SK海力士拟向金融监管机构递交ADR关联新股发行方案
据《韩国经济日报》引述匿名金融投资行业知情人士消息称，SK海力士预计于周三就其美国存托凭证（ADR）挂牌事宜向韩国金融监督院递交证券注册文件。按照相关流程，该公司需先在韩国市场完成股票发行，随后才能推动其ADR登陆纳斯达克(25587.0391, -579.56, -2.21%)。海力士方面预估金融监督院最快将在7月3日结束相关材料审核，其ADR挂牌时间初步判断或在7月内实现。 责任编辑：王永生 新浪财经声明：此消息系转载自合作媒体，新浪财经登载此文出于传递更多信息之目的，文章内容仅供参考，不构成投资建议